Zgłoś błąd
X
Zanim wyślesz zgłoszenie, upewnij się że przyczyną problemów nie jest dodatek blokujący reklamy.
Typ zgłoszenia
Treść zgłoszenia
Twój email (opcjonalnie)
Nie wypełniaj tego pola
.
Załóż konto
EnglishDeutschРусскийFrançaisEspañol中国

Samsung - pierwsze DDR4 wykonane z użyciem techniki EUV

Krzysztof Hukałowicz | 25-03-2020 16:45 |

Samsung - pierwsze DDR4 wykonane z użyciem techniki EUVSamsung ogłosił, że jako pierwszy w branży opracował moduły DRAM wykonane w litografii 10 nm (D1x) DDR4 (Double Date Rate 4) oparte na technologii wykorzystującej ekstremalny ultrafiolet (EUV). Otworzy to drzwi do (jeszcze) bardziej zaawansowanych procesów, do użytku w komputerach PC klasy premium, urządzeniach mobilnych, serwerach korporacyjnych i centrach danych. Chipy nowej generacji powinny być teraz dzięki temu osiągnięciu opracowywane szybciej. Samsung dostarczył swoim partnerom milion chipów, co dla nas, jako konsumentów prawdopodobnie oznacza, że już lada moment ruszy masowa produkcja.

Zastosowanie EUV ma zdecydowanie poprawić wydajność i uzysk z wafla krzemowego. Możliwe jest użycie tej technologii zarówno do pamięci DRAM czwartej generacji (D1a), jak i 14 nm.

Samsung - pierwsze DDR4 wykonane z użyciem techniki EUV [1]

Samsung: premiera pamięci HBM2E Flashbolt o pojemności 16 GB

Samsung jako pierwszy zastosował EUV w produkcji pamięci DRAM, aby sprostać wyzwaniom związanym ze skalowaniem pamięci DRAM. Technologia EUV redukuje powtarzalne etapy i poprawia dokładność wzornictwa, umożliwiając lepszą wydajność i większy uzysk z wafla krzemowego oraz skrócony czas opracowywania kolejnych odsłon. EUV zostanie w pełni wdrożony w przyszłych generacjach pamięci DRAM firmy Samsung, począwszy od czwartej generacji klasy 10 nm (D1a) lub wysoce zaawansowanej klasy 14 nm pamięci DRAM. Samsung spodziewa się, że w przyszłym roku rozpocznie masową produkcję DDR5 i LPDDR5 na bazie D1a, co podwoi wydajność produkcyjną 12-calowych wafli D1x.

Samsung - pierwsze DDR4 wykonane z użyciem techniki EUV [2]

Karty AMD i NVIDIA mogą podrożeć przez wzrost cen pamięci

Zgodnie ze strategią ekspansji DDR5 / LPDDR5 w przyszłym roku, firma zacieśni współpracę z wiodącymi klientami IT i dostawcami półprzewodników w zakresie optymalizacji standardowych specyfikacji, w celu przyspieszenia przejścia na nowy standard całego rynku pamięci. Aby lepiej sprostać rosnącemu zapotrzebowaniu na wysokiej jakości pamięć DRAM nowej generacji, Samsung uruchomi w drugiej połowie tego roku drugą linię produkcyjną półprzewodników w Pyeongtaek w Korei Południowej. Miejmy nadzieję, że te wszystkie posunięcia spowodują obniżenie cen urządzeń i podzespołów wykorzystujących moduły od Samsunga.

Źródło: guru3d
0
Zgłoś błąd
Liczba komentarzy: 31

Komentarze:

x Wydawca serwisu PurePC.pl informuje, że na swoich stronach www stosuje pliki cookies (tzw. ciasteczka). Kliknij zgadzam się, aby ta informacja nie pojawiała się więcej. Kliknij polityka cookies, aby dowiedzieć się więcej, w tym jak zarządzać plikami cookies za pośrednictwem swojej przeglądarki.