Pamięci 20 nm MLC NAND Flash już niedługo - będzie taniej?
Obecnie w dyskach półprzewodnikowych (SSD) stosuje się najczęściej pamięci MLC NAND Flash wykonane w 25 nm procesie technologicznym, chociaż nadal można spotkać nośniki z 32 czy 34 nm układami. Jednak postęp w dziedzinie miniaturyzacji wciąż się dokonuje, zaś kolejnym istotnym krokiem w tym segmencie będzie przejście z 25 na 20 nm kości. Taki ruch przy okazji premiery serii 520 zapowiedział już Intel, który zamierza w pierwszym kwartale 2013 roku wprowadzić dyski SSD bazujące właśnie na owych modułach. Dwaj najwięksi producenci - Intel i Micron - połączyli siły w opracowaniu niższego procesu, więc o efekt finalny powinniśmy być względnie spokojni. Aktualnie spółka IM FLash Technologies wytwarza na szeroką skalę układy 20 nm o pojemności 8GB, zgodnie z interfejsem ONFI 2.x. Jednak niebawem zakres oferowanych pamięci MLC NAND Flash powinien się znacznie poszerzyć...
Mowa o 20 nm układach w rozmiarze 16GB, które będą osiągać prędkość przesyłu danych na poziomie 333 MT/s, a wszystko za sprawą interfejsu ONFI 3.0. Wówczas pojawią się także pojemne dyski SSD, w tym również nowe nośniki Intela, jednak nie wiadomo czy wyposażone w autorski kontroler. Liczymy również na kolejną obniżkę cen pamięci MLC NAND Flash...
Źródło: TechReport
Powiązane publikacje
Nośniki SSD Samsunga o pojemności 1 petabajta coraz bliżej. Wszystko dzięki badaniom nad ferroelektrycznymi materiałami
18
SanDisk Desk Drive - nowy zewnętrzny nośnik SSD o pojemności 8 TB. Kompaktowy model z funkcją automatycznej kopii zapasowej
32
Samsung rozpoczął masową produkcję pamięci V-NAND dziewiątej generacji. Rozwiązanie ma kilka istotnych zalet
5
Seagate podjął decyzję o podniesieniu cen swoich dysków twardych. Segment ten idzie w ślady branży nośników SSD
55
