Pamięć G.Skill Ripjaws 4 podkręcona do 4838 MHz - Nowy rekord
W ciągu kilku godzin od premiery procesorów Intel Skylake oraz płyt głównych z chipsetami Z170 overclockerzy światowej klasy zamieścili kilka wyników pretendujących do miana rekordów taktowania modułów pamięci DDR4 - mniej więcej od tygodnia na szczycie rankingów widniał wynik 4795 MHz osiągnięty przez HKEPC na pamięciach G.Skill Ripajws 4 DDR4 o pojemności 4 GB, procesorze Intel Core i7-6700K oraz płycie głównej ASRock Z170 OC Formula. Okazuje się, że do głosu dochodzą także inni zawodnicy, którzy cały czas atakują wspomniany rekord i próbują go pobić. Mamy zaszczyt ogłosić, że tym razem na szczycie rankingów znalazł się Hicookie ze swoim wynikiem wynoszącym dokładnie 4838 MHz.
Rekordy taktowania DDR4 spadają z nieba częściej, niż krople deszczu.
Po raz kolejny został wykorzystany moduł pamięci z serii G.Skill Ripjaws 4 DDR4, jednakże platforma składała się także z płyty głównej Gigabyte Z170X-SOC Force oraz procesora Intel Core i7-6700K. Warto wspomnieć, że tym razem nie wyłączono funkcji Hyper-Threading (wielowątkowość) oraz pozostawiono wszystkie cztery rdzenie aktywne - częstotliwość procesora została zmniejszona do poziomu 2340 MHz przy minimalnie podbitym napięciu wynoszącym 1,28 V.
Nie musimy już chyba wspominać, że został podkręcony jeden moduł pamięci DDR4, który pracował w trybie jednokanałowym. Opóźnienia zostały ustawione na poziomie 19-27-27-47. Płyta główna Gigabyte Z170X-SOC Force w formacie E-ATX to produkt przeznaczony dla overclockerów i entuzjastów - posiada 22-fazową sekcję zasilania oraz funkcje ułatwiające podkręcanie. Jaki wynik będzie kolejnym rekordem dla pamięci DDR4? Nie ma wątpliwości, że kolejne znane osobistości tylko czekają na zamieszczenie swojego osiągnięcia.
Powiązane publikacje

Crucial wprowadza pamięci LPCAMM2 8533 MT/s. Nowy standard dla laptopów łączy wydajność LPDDR5X z możliwością rozbudowy
27
Nowy rekord świata w overclockingu pamięci RAM DDR5, przebito kolejną barierę, osiągając prędkość 13 020 MT/s
5
SK Hynix wyprzedza Samsunga i Microna i jako pierwszy na świecie produkuje rewolucyjne pamięci HBM4. Wydajność wzrośnie o 69%
16
Samsung w desperacji. Koreańska firma gotowa na cenową wojnę z SK Hynix i Micron o lukratywne kontrakty NVIDIĄ na pamięci HBM4
14