Intel i Micron wprowadzają 25-nanometrową pamięć NAND
Firmy Intel Corporation i Micron Technology, Inc. zapowiedziały dziś pierwszą na świecie 25-nanometrową technologię NAND, która umożliwi ekonomiczne zwiększenie pojemności pamięci w popularnych urządzeniach konsumenckich, takich jak smartfony, osobiste odtwarzacze muzyki i multimediów (PMP) oraz nowa klasa bardzo wydajnych dysków SSD. Pamięć NAND flash służy do przechowywania treści w urządzeniach elektroniki użytkowej. Zachowuje informacje nawet po wyłączeniu zasilania. Przejście na niższy wymiar technologiczny przełoży się więc na dalszy rozwój i nowe zastosowania technologii NAND. Proces 25-nanometrowy to nie tylko najmniejsza technologia NAND, ale najmniejsza technologia półprzewodnikowa na świecie - osiągnięcie, które pozwoli przechowywać więcej muzyki, filmów i innych danych we współczesnych urządzeniach elektronicznych i komputerowych.
25-nanometrowy proces technologiczny opracowany przez IM Flash Technologies (IMFT), spółkę firm Intel i Micron, pozwala uzyskać 8 gigabajtów (GB) pamięci w pojedynczym urządzeniu NAND. Pamięć mierzy zaledwie 167 mm2 — mieści się w otworze płyty CD, a mimo to zawiera 10 razy więcej danych (standardowa płyta CD ma pojemność 700 megabajtów). Dzięki ciągłym inwestycjom w badania i rozwój pamięci NAND firmy Intel i Micron podwajają gęstość NAND mniej więcej co 18 miesięcy, co prowadzi do tańszych, wydajniejszych i pojemniejszych produktów. Intel i Micron założyły IMFT w 2006 roku, zaczynając produkcję od procesu 50-nanometrowego, po czym w 2008 roku przeszły na technologię 34-nanometrową. Rozpoczęcie produkcji w procesie 25-nanometrowym oznacza, że obie firmy jeszcze bardziej dystansują konkurentów, wprowadzając najmniejszą litografię półprzewodnikową, jaka jest dostępna
25-nanometrowe urządzenie NAND o pojemności 8 GB jest już dostępne w postaci próbek inżynierskich i ma wejść do masowej produkcji w drugim kwartale 2010 roku. Oferuje najwyższą gęstość pamięci w pojedynczej kości multi-level cell (MLC) z dwoma bitami na komórkę i mieści się w standardowej obudowie thin small-outline package (TSOP). Aby zwiększyć pojemność pamięci, można w jednej obudowie ułożyć wiele urządzeń 8 GB jedno na drugim. Nowe 8-gigabajtowe urządzenie zmniejsza liczbę układów o 50 procent w porównaniu z poprzednimi generacjami technologicznymi, co przekłada się na mniejsze, bardziej zagęszczone konstrukcje i oszczędność kosztów. Na przykład dysk SSD o pojemności 256 GB można teraz zbudować z 32 takich urządzeń (poprzednio 64), w smartfonie o pojemności 32 GB wystarczy zastosować cztery, a w karcie pamięci o pojemności 16 GB — zaledwie dwa.
Źródło: Intel
Powiązane publikacje
![ADATA SC750 - nowy przenośny nośnik SSD o kompaktowym formacie. Obsługa smartfonów Apple iPhone i Steam Decka](/files/Image/m165/44290.png)
ADATA SC750 - nowy przenośny nośnik SSD o kompaktowym formacie. Obsługa smartfonów Apple iPhone i Steam Decka
12![ADATA Legend 970 PRO - nowy nośnik SSD PCIe 5.0 z aktywnym chłodzeniem, który osiąga odczyt na poziomie 14 GB/s](/files/Image/m165/44275.png)
ADATA Legend 970 PRO - nowy nośnik SSD PCIe 5.0 z aktywnym chłodzeniem, który osiąga odczyt na poziomie 14 GB/s
25![Crucial P310 - nowy szybki nośnik SSD M.2 w formacie 2230 wykorzystujący interfejs PCIe 4.0. Zainstalujesz go do Steam Decka](/files/Image/m165/44220.png)
Crucial P310 - nowy szybki nośnik SSD M.2 w formacie 2230 wykorzystujący interfejs PCIe 4.0. Zainstalujesz go do Steam Decka
19![WD Black SN850X - na rynku zadebiutował najpojemniejszy jak dotąd wariant popularnego dysku SSD M.2 NVMe](/files/Image/m165/44203.png)
WD Black SN850X - na rynku zadebiutował najpojemniejszy jak dotąd wariant popularnego dysku SSD M.2 NVMe
21![Kioxia ujawnia szczegóły na temat nowych układów pamięci 3D QLC NAND o pojemności 2 Tb](/files/Image/m165/44100.jpg)