Intel i Micron rozpoczynają produkcję następcy pamięci NAND Flash

Firmy Intel Corporation oraz Micron Technology wdrażają nową technologię pamięci nieulotnej - 3D Xpoint - która może zrewolucjonizować urządzenia korzystające z szybkiego dostępu do dużych pakietów danych. Rozwiązanie będące obecnie na etapie produkcji może okazać się długo wyczekiwanym przełomem w technologii wytwarzania pamięci od momentu wprowadzenia flash NAND w 1989 roku. Charakterystyka 3D XPoint jest naprawdę imponująca, bowiem producent zapewnia, iż będzie do 1000 razy szybsza i 1000 razy trwalsza od NAND, cechując się dodatkowo 10-krotnie większym upakowaniem od konwencjonalnej pamięci. mTechnologia 3D XPoint została zbudowana od zera jako odpowiedź na potrzebę nieulotnego, wysokowydajnego, bardzo trwałego i pojemnego rozwiązania magazynującego i pamięciowego w (podobno) przystępnej cenie.

Charakterystyka 3D XPoint jest naprawdę imponująca, bowiem producent zapewnia, iż będzie do 1000 razy szybsza i 1000 razy trwalsza od NAND.

Prace badawczo-naukowe trwały ponad dekadę, a samo 3D XPoint znacznie zmniejsza opóźnienia, pozwalając na przechowywanie większej liczby danych blisko procesora i dostęp do nich z prędkościami dotychczas niemożliwymi do uzyskania w magazynach nieulotnych. Nowatorska, beztranzystorowa architektura krzyżowa tworzy trójwymiarową szachownicę, w której komórki pamięci znajdują się na przecięciu linii słów z liniami bitów, przez co komórki mogą być indywidualnie adresowane. W efekcie dane można zapisywać i odczytywać w małych porcjach, co prowadzi do szybszych i efektywniejszych procesów odczytu/zapisu. Poniżej znajdziecie więcej informacji na temat technologii 3D XPoint:

• Krzyżowa struktura macierzowa - prostopadłe przewodniki łączą 128 mld gęsto upakowanych komórek pamięci, a każda przechowuje jeden bit danych.
• Stosy - oprócz krzyżowej struktury macierzowej, komórki pamięci rozmieszczone są na wielu warstwach. Pierwsze wcielenie technologii przechowuje 128 Gb na płytce z dwoma warstwami.
• Selektor - dostęp do komórek pamięci i ich zapis lub odczyt odbywa się przez zmianę napięcia przekazywanego do każdego selektora. Eliminuje to konieczność stosowania tranzystorów, a więc zwiększa pojemność przy jednoczesnej redukcji kosztów.
• Komórka o szybkim przełączaniu - przy małym rozmiarze komórki, szybko przełączającym się selektorze, matrycy krzyżowej o niskim opóźnieniu i szybkim algorytmie zapisu komórka może zmieniać stany szybciej niż w jakiejkolwiek dzisiejszej technologii pamięci nieulotnej.

Technologia 3D XPoint będzie dostępna w postaci próbek w późniejszej części tego roku, a Intel i Micron już opracowują produkty oparte na tym rozwiązaniu. Wydajnościowe zalety technologii 3D XPoint mogą też ulepszyć użytkowanie komputerów PC, pozwalając nabywcom cieszyć się szybszymi interaktywnymi mediami społecznościowymi i wspólną pracą, a także bardziej wciągającymi doznaniami w grach. Nieulotna natura technologii powoduje, że jest idealnym wyborem do zastosowań magazynujących o niskich opóźnieniach, ponieważ dane nie są kasowane po wyłączeniu zasilania urządzenia.