Zgłoś błąd

X

Zanim wyślesz zgłoszenie, upewnij się że przyczyną problemów nie jest dodatek blokujący reklamy.

Typ zgłoszenia
Treść zgłoszenia
Twój email (opcjonalnie)
Nie wypełniaj tego pola
 
.
Załóż konto
EnglishDeutschРусскийFrançaisEspañol中国

Samsung zapowiada SSD na kościach 3D V-NAND 6. generacji

Samsung zapowiada SSD na kościach 3D V-NAND 6. generacjiSytuacja na rynku nośników SSD jest dobra jak nigdy. Przeciętny zjadacz chleba może sobie pozwolić już nie tylko na podstawowe modele 128 GB, które swoją pojemnością ledwie starczały na instalację systemu, ulubionych aplikacji i gry lub dwóch, ale bez problemu kupi już szybkie 512 GB w cenie zwykłego HDD. Na szczęście sytuacja ta nie przeszkadza producentom w pogoni za nowymi rozwiązaniami. Koreański lider na rynku pamięci masowych nie przestaje zaskakiwać. Samsung w oficjalnym komunikacie prasowym poinformował o wejściu w etap masowej produkcji nośników półprzewodnikowych, które oparte będą na zapowiadanych w czerwcu 2019 kościach pamięci typu 3D V-NAND 6.generacji.

Porównując nowe 3D V-NAND z poprzednią generacją otrzymujemy wzrost wydajności o 10 procent przy wzroście energooszczędności o 15 procent.

Samsung zapowiada SSD na kościach 3D V-NAND 6. generacji [1]

Corsair Force MP600 PCI-E 4.0 - Test SSD na platformach Intel i AMD

Samsung ogłosił światu, że wchodzi w etap masowej produkcji nowych nośników półprzewodnikowych, które oparte będą na 1xx-warstwowych kościach pamięci 256 Gb 3D V-NAND. Mowa o modelach o pojemności 250 GB mających trafić wpierw do producentów OEM. Oczywiście w porównaniu do 5. generacji, która dysponowała 9x warstwami, mowa o wzroście wysokości całego stosu, przez co kości NAND stały się bardziej podatne na błędy i opóźnienia odczytu. Koreańczycy obeszli ten problem za sprawą zoptymalizowanego projektu układu.

Samsung zapowiada SSD na kościach 3D V-NAND 6. generacji [2]

Test dysku SSD Kingston KC2000 - Konkurent ADATA SX8200 PRO

Zgodnie z deklaracjami czebola poczynione zmiany przekładają się na opóźnienia rzędu 45 mikrosekund dla odczytu i 450 mikrosekunda dla zapisu. Porównując więc z poprzednią generacją daje nam to wzrost wydajności o 10 procent przy wzroście energooszczędności o 15 procent. Co więcej taki design ma pozwolić w przyszłości na uzyskanie nawet 300-warstwowych kości 3D V-NAND poprzez nałożenie na siebie dotychczasowych stosów. Na zakończenie warto podkreślić, że same czipy mają mniejszy rozmiar i mniej etapów produkcji, co pozwala osiągnąć nawet o 20 procent wyższy uzysk. Jedyną niewiadomą pozostaje kiedy 6. generacja 3D V-NAND od Samsunga trafi na rynek konsumencki i w jakiej cenie.

Źródło: Samsung
2
Zgłoś błąd
Liczba komentarzy: 4

Komentarze:

x Wydawca serwisu PurePC.pl informuje, że na swoich stronach www stosuje pliki cookies (tzw. ciasteczka). Kliknij zgadzam się, aby ta informacja nie pojawiała się więcej. Kliknij polityka cookies, aby dowiedzieć się więcej, w tym jak zarządzać plikami cookies za pośrednictwem swojej przeglądarki.