G.Skill Ripjaws 4 - Najszybsze pamięci DDR4
Producenci modułów pamięci operacyjnej w standardzie DDR4 mają jeszcze sporo asów w rękawie - na razie nikt nie chce pokazywać wszystkich kart i właśnie dlatego produkty nie wydają nam się atrakcyjne. Nie ma wątpliwości, że DDR4 posiada spory potencjał do rozwoju wydajności. W tym roku odbędzie się premiera pierwszej mainstreamowej platformy obsługującej nowe moduły pamięci. Będzie to oczywiście Intel Skylake, który pozwoli na zaoferowanie lepszej oferty przez producentów. Nie oznacza to jednak, że do tego momentu firmy będą siedziały bezczynnie. G.Skill poinformował wczoraj o wprowadzeniu do sprzedaży nowej serii, jaka zdobędzie koronę dla króla najwyższej wydajności w standardzie DDR4.
Obecnie trwa walka na opóźnienia DDR4.
Do tej pory na pierwszym miejscu znajdowały się moduły Corsair Dominator Platinum o częstotliwości 3400 MHz, a teraz na ich miejscu zasiądą produkty G.Skill RIpjaws 4 o takim samym taktowaniu, ale relatywnie niższym opóźnieniu (16-16-16-36 zamiast 16-18-18-40). Pozostała część specyfikacji technicznej zawiera napięcie 1,35 V oraz pojemność 4 GB na moduł (łącznie 16 GB). Modele są oczywiście zgodne z profilami Intel XMP 2.0.
Producent twierdzi, że kupując najnowsze moduły otrzymujemy najlepsze kości pamięci, które zostały wybrane z całej serii. W zestawie otrzymujemy dodatkowe 50-milimetrowe wentylatory montowane nad pamięciami. Firma G.Skill nie ujawniła niestety terminu wprowadzenia do sprzedaży, ani sugerowanej ceny nowych produktów. Na pewno nie będzie ona należała do najniższych...
Źródło: G.Skill / Guru3D
Powiązane publikacje

SK Hynix wyprzedza Samsunga i Microna i jako pierwszy na świecie produkuje rewolucyjne pamięci HBM4. Wydajność wzrośnie o 69%
15
Samsung w desperacji. Koreańska firma gotowa na cenową wojnę z SK Hynix i Micron o lukratywne kontrakty NVIDIĄ na pamięci HBM4
14
Chiński duet YMTC i CXMT może zagrozić dominacji firm Samsung i SK Hynix na rynku pamięci HBM jeszcze w 2025 roku
44
SK hynix jako pierwszy komercyjnie wykorzysta litografię High-NA EUV firmy ASML do produkcji pamięci DRAM nowej generacji
6