Silicon Motion pokazało nowe kontrolery PCI Express 4.0
W przypadku nośników półprzewodnikowych największą uwagę zwraca się przeważnie na zastosowane kości pamięci - ich typ, producenta oraz ewentualnie ilość warstw. Nasi czytelnicy wiedzą jednak doskonale, że o wydajności SSD decydują jednak jeszcze inne z elementów znajdujących się na laminacie, czyli pamięć cache oraz zastosowany kontroler. Dzisiaj pochylimy się nad ostatnim z wymienionych, bowiem Silicon Motion pokazało światu na Flash Memory Summit 2019 dwa nowe modele w postaci SM2264 oraz SM2267. Obsługują one standard PCI Express 4.0 wprowadzony do mainstreamu przez AMD wraz z procesorami z rodziny Ryzen 3000 i mają zapewnić najwyższe prędkości dla odczytu i zapisu sekwencyjnego.
Silicon Motion SM2264 będzie rywalizować na rynku z konkurencyjnym Phison PS5016-E16 w przypadku najwydajniejszych konsumenckich SSD.
Corsair Force MP600 PCI-E 4.0 - Test SSD na platformach Intel i AMD
Pierwszy z nowych kontrolerów dla nośników półprzewodnikowych NVMe korzystających z interfejsu PCI Express 4.0 x4 to Silicon Motion SM2264. Mowa o rozwiązaniu obsługującym do ośmiu kanałów i 9x-warstwowe kości pamięci typu 3D TLC NAND i QLC o łącznej pojemności do 16 TB. Deklarowana wydajność dla odczytu sekwencyjnego to około 6,5 GB/s oraz około 3,9 GB/s dla zapisu. W przypadku operacji wejścia-wyjścia mowa o 700 000 IOPS zarówno dla odczytu, jak i zapisu. Dla porównania bezpośrednia konkurencja dostępna już na rynku w postaci Phison PS5016-E16 oferuje wydajność do około 5 GB/s dla odczytu i 4,4 GB/s dla zapisu.
Test dysku SSD Kingston KC2000 - Konkurent ADATA SX8200 PRO
Druga z propozycji pokazanych na wydarzeniu Flash Memory Summit 2019 wygląda mniej spektakularnie, ale nadal mowa o wydajności przebijającej SSD NVMe PCIe 3.0. Silicon Motion SM2267 to 4-kanałowy kontroler zdolny do obsługi 9x-warstwowych kości pamięci typu 3D TLC NAND i QLC o łącznej pojemności do 8 TB. Deklarowana wydajność dla odczytu sekwencyjnego to około 4 GB/s i około 3 GB/s dla zapisu sekwencyjnego. Wartości IOPS plasują się na poziomie 400 000 dla odczytu i zapisu. Niestety układów Silicon Motion SM2264 i SM2267 nie zobaczymy w konsumenckich nośnikach półprzewodnikowych aż do przyszłego roku.
Powiązane publikacje

Budżetowy SSD z 2010 roku wytrzymał zapis jednego petabajta danych. Dysk przekroczył deklarowane TBW aż 25-krotnie
61
Miało być 400 warstw, a wyszło tylko 375. SK hynix zderzył się z problemem, którego nie załatwi marketing
16
Micron 6600 ION to istny gigant wśród dysków SSD. Prawie ćwierć petabajta miejsca na dane dla centrów danych
29
NEO Semiconductor pokazało 3D X-DRAM. To nie jest jeszcze pogromca HBM, ale pierwsze testy wyglądają ciekawie
6












