Zgłoś błąd
X
Zanim wyślesz zgłoszenie, upewnij się że przyczyną problemów nie jest dodatek blokujący reklamy.
Błędy w spisie treści artykułu zgłaszaj jako "błąd w TREŚCI".
Typ zgłoszenia
Treść zgłoszenia
Twój email (opcjonalnie)
Nie wypełniaj tego pola
.
Załóż konto
EnglishDeutschукраїнськийFrançaisEspañol中国

Samsung przygotowuje się do debiutu pamięci QLC NAND flash o największym zagęszczeniu komórek w branży

Łukasz Stefaniak | 30-01-2024 12:00 |

Samsung przygotowuje się do debiutu pamięci QLC NAND flash o największym zagęszczeniu komórek w branżyFirma Samsung jest jednym z największych producentów pamięci NAND flash. Nie dziwi zatem, że ma także potencjał, by wprowadzać na rynek najbardziej zaawansowane technologie w tej branży. Rynek oczekuje dostępności nośników o coraz większej pojemności, przy jednoczesnym zapewnieniu odpowiedniej szybkości działania sprzętu. Takim rozwiązaniem będzie prawdopodobnie pamięć QLC 3D NAND V9, która powinna zadebiutować jeszcze w tym roku.

Jeszcze w tym roku powinna zadebiutować na rynku 280-warstwowa pamięć QLC 3D NAND V9 firmy Samsung. Będzie cechowała się największym zagęszczeniem komórek na rynku.

Samsung przygotowuje się do debiutu pamięci QLC NAND flash o największym zagęszczeniu komórek w branży [1]

Zbliżają się duże podwyżki cen dysków SSD. Pojawiły się poważne braki na rynku pamięci NAND flash

Cechą charakterystyczną rozwiązania Samsunga będzie zarówno duża liczba warstw, jak i zagęszczenie komórek pamięci. Ciekawostką jest fakt, że w obecnej chwili palmę pierwszeństwa w drugiej z wymienionych kategorii dzierży chińskie YMTC. Firma ma w swojej ofercie pamięć QLC NAND flash o zagęszczeniu 20,62 Gb/mm². Najnowsze rozwiązanie Samsunga z wynikiem 28,5 Gb/mm² wyraźnie wyprzedza zaś zarówno dokonania przedsiębiorstwa z Państwa Środka, jak i pozostałych konkurentów. Pamięć QLC NAND V9 cechowała się będzie 280-warstwami, co da Samsungowi pierwsze miejsce także w tej kategorii.

Samsung przygotowuje się do debiutu pamięci QLC NAND flash o największym zagęszczeniu komórek w branży [2]

Apple iPhone 16 może otrzymać pamięć QLC NAND flash. Takie rozwiązanie ma niestety swoje wady

Warto zaznaczyć, że tak duże zagęszczenie pamięci nie odbije się negatywnie na jej szybkości. Ma ona oferować maksymalny transfer danych na poziomie 3,2 Gb/s na chip. Konkurencyjne produkty wykorzystujące pamięć QLC zazwyczaj oferują 2,4 Gb/s na chip, zatem wiele wskazuje na to, że także w tym przypadku Samsung będzie liderem. Trzeba być jednak ostrożnym w kwestii tego, czy pozwoli to na szersze wykorzystywanie pamięci QLC NAND flash w nośnikach SSD M.2 NVMe. W przypadku najwyżej pozycjonowanych dysków, działających w oparciu o złącze PCIe 5.0, jest to ciągle mało prawdopodobne, ale QLC V9 może trafić do tańszego sprzętu. Pamięć ta otwiera też teoretycznie drogę do konsumenckich nośników SSD o pojemności przekraczającej 8 TB.

Źródło: Tom's Hardware
Bądź na bieżąco - obserwuj PurePC.pl na Google News
Zgłoś błąd
Liczba komentarzy: 12

Komentarze:

x Wydawca serwisu PurePC.pl informuje, że na swoich stronach www stosuje pliki cookies (tzw. ciasteczka). Kliknij zgadzam się, aby ta informacja nie pojawiała się więcej. Kliknij polityka cookies, aby dowiedzieć się więcej, w tym jak zarządzać plikami cookies za pośrednictwem swojej przeglądarki.