Zgłoś błąd
X
Zanim wyślesz zgłoszenie, upewnij się że przyczyną problemów nie jest dodatek blokujący reklamy.
Błędy w spisie treści artykułu zgłaszaj jako "błąd w TREŚCI".
Typ zgłoszenia
Treść zgłoszenia
Twój email (opcjonalnie)
Nie wypełniaj tego pola
.
Załóż konto
EnglishDeutschукраїнськийFrançaisEspañol中国

Micron zaprezentował nowo opracowaną pamięć UFS 4.0, która jest wydajniejsza od tej z Samsunga i wyprzedza PCIe 3.0

Natan Faleńczyk | 22-06-2023 12:00 |

Micron zaprezentował nowo opracowaną pamięć UFS 4.0, która jest wydajniejsza od tej z Samsunga i wyprzedza PCIe 3.0Amerykańskie przedsiębiorstwo Micron Technology ogłosiło właśnie koniec pracy nad udoskonalonymi pamięciami typu UFS 4.0, które oparte są o rozwiązanie znane z ich 232-warstwowej pamięci 3D NAND. Próbki są dostępne dla innych firm i Micron zapewnia, że są one już w drodze do wybranych przedstawicieli. Niebawem w urządzeniach mobilnych zobaczymy wdrożone rozwiązanie, które zaoferuje spory skok wydajności i pojemności rzędu 1 TB. Jest więc na co czekać.

Przedsiębiorstwo Micron wprowadza na rynek pamięci UFS 4.0, które są oparte o autorską technologię znaną z ich 232-warstwowych pamięci 3D NAND. Ulepszona pamięć ma być dostępna w nadchodzących flagowcach.

Micron zaprezentował nowo opracowaną pamięć UFS 4.0, która jest wydajniejsza od tej z Samsunga i wyprzedza PCIe 3.0 [1]

Micron ujawnia nowe moduły DDR5 o nietypowej pojemności, przeznaczone na rynek komputerów osobistych

Standard UFS (Universal Flash Storage) określający specyfikację pamięci flash, jest całkiem wydajnym rozwiązaniem przeznaczonym dla urządzeń mobilnych, które mają ograniczony pobór mocy. Jego numeracja określa rzecz jasna generację - obecnie jest nią 4.0 i możemy się z nią spotkać choćby w smartfonie Samsung Galaxy S23 Ultra. Omawiane pamięci od Microna dzięki zastosowanej technologii i swojej strukturze, są dużo pojemniejsze, a przy tym pobierają mniej energii (o 25% w porównaniu do poprzedniej generacji, czyli UFS 3.0). Jednak ich kartą przetargową są uzyskiwane prędkości zapisu i odczytu sekwencyjnego - w tej kwestii wypadają lepiej od całkiem nowych pamięci Samsunga (Gen 7 V-NAND, 176-warstw). 

Micron zaprezentował nowo opracowaną pamięć UFS 4.0, która jest wydajniejsza od tej z Samsunga i wyprzedza PCIe 3.0 [2]

SK hynix rozpoczęło masową produkcję pamięci NAND flash o rekordowej liczbie warstw

Nowa pamięć NAND od Microna z komórkami trójpoziomowymi (TLC) oparta na wspomnianym wcześniej rozwiązaniu jest zdolna do odczytu sekwencyjnego na poziomie 4300 MB/s oraz zapisu sekwencyjnego aż do 4000 MB/s. Deklasuje to Samsunga, którego pamięć napomknięto chwilę temu - analogicznie odczyt sekwencyjny wynosi tu 4200 MB/s, z kolei zapis do 2800 MB/s. To rozwiązanie ma wpłynąć nie tylka na ogólną wydajność urządzeń mobilnych, ale i zmniejszyć ich zapotrzebowanie na energię. Pamięci te przeznaczone dla flagowych sprzętów będą dostępne w wariantach 256 GB, 512 GB oraz 1 TB. Jako przykład prędkości posłużono się pobieraniem streamowanego materiału 4K o długości 2 godzin, gdzie w tym wypadku zajmie to mniej niż 15 sekund, czyli dwukrotnie szybciej od generacji niżej (oczywiście w grę wchodzi tu również łącze internetowe). Pozostaje więc oczekiwać pierwszych urządzeń z rozwiązaniem od Microna.

Micron zaprezentował nowo opracowaną pamięć UFS 4.0, która jest wydajniejsza od tej z Samsunga i wyprzedza PCIe 3.0 [3]

Źródło: Micron
Bądź na bieżąco - obserwuj PurePC.pl na Google News
Zgłoś błąd
Liczba komentarzy: 9

Komentarze:

x Wydawca serwisu PurePC.pl informuje, że na swoich stronach www stosuje pliki cookies (tzw. ciasteczka). Kliknij zgadzam się, aby ta informacja nie pojawiała się więcej. Kliknij polityka cookies, aby dowiedzieć się więcej, w tym jak zarządzać plikami cookies za pośrednictwem swojej przeglądarki.