Zgłoś błąd
X
Zanim wyślesz zgłoszenie, upewnij się że przyczyną problemów nie jest dodatek blokujący reklamy.
Błędy w spisie treści artykułu zgłaszaj jako "błąd w TREŚCI".
Typ zgłoszenia
Treść zgłoszenia
Twój email (opcjonalnie)
Nie wypełniaj tego pola
.
Załóż konto
EnglishDeutschукраїнськийFrançaisEspañol中国

Samsung rozpoczyna produkcję 10 nm pamięci DRAM

Piotr Piwowarczyk | 06-04-2016 15:30 |

Samsung rozpoczyna produkcję 10 nm pamięci DRAMSamsung jest powszechnie kojarzony z produkcją smartfonów czy sprzętu RTV i AGD, jednak osoby, które interesują się podzespołami komputerowymi, dobrze znają również pamięci masowe południowokoreańskiej firmy. Sztandarowe modele dysków SSD 850 PRO/EVO czy jeden z najszybszych modeli konsumenckich SSD 950 PRO, cieszą się przecież niesłabnącą popularnością. Mało kto jednak zdaje sobie sprawę, że azjatycki gigant specjalizuje się także w pamięciach typu DRAM. Co więcej, właśnie oficjalnie ogłosił, że jako pierwszy na świecie rozpoczyna masową produkcję nowych kości wykonanych w 10-nanometrowym procesie technologicznym i zajmie się dostarczaniem 8-gigabitowych układów DDR4. Nowe moduły powinny być szybsze o nawet 30% oraz zużywać do 20% mniej energii, niż pamięci wykonane w procesie 20 nm.

Niższy proces technologiczny pozwolił na zwiększenie przepustowości i energooszczędność nowych modułów DDR4

Samsung zaznacza, że do uzyskania 10-nanometrowych pamięci DRAM nie potrzebował wsparcia technologii EUV (Extreme Ultra Violet), jednak wymagane były gruntowne zmiany w projektowaniu komórek. Mowa tutaj o wykorzystaniu litografii QPT (Quadruple Patterning Technology). Niższy proces oznacza zazwyczaj lepszą sprawność energetyczną, jak również osiągi, więc w opisywanym przypadku nie powinno być inaczej. Według udostępnionych danych, uzysk z wafla krzemowego będzie nawet o 30% większy, niż w przypadku obecnych układów, które wychodzą w 20 nanometrach. Dla tych, którzy chcą uświadomić sobie skalę o jakiej mówimy, posłużmy się prostym przykładem - ludzki włos ma grubość od 60 do 100 tysięcy nanometrów. 

Samsung rozpoczął produkcję pamięci DRAM w 10 nm

Jak zapewniają przedstawiciele Samsunga, szybkość transferu nowych układów wynosi ok. 3200 Mb/s, jest więc średnio 30% wyższa od typowych 20 nm konstrukcji. Szacuje się także, że pobór mocy będzie niższy od 10% do nawet 20%. Nowe układy DDR4 niebawem zadebiutują na rynku w modułach 4 i 8 GB w wersjach mobilnych, a dla serwerów mają występować także odmiany o pojemności do 128 GB. Samsung w przesłanym komunikacje poinformował również o trwających pracach nad nowymi pamięciami, które trafią do kolejnych generacji w smartfonów.  Więc następnym razem gdy kupicie pamięci DDR3/DDR4 od G.Skill, Kingston czy Corsair, sprawdźcie kto tak naprawdę dostarczył technologię. istnieje bowiem duże prawdopodobieństwo, że traficie na kości Samsunga.

Samsung rozpoczął produkcję pamięci DRAM w 10 nm

Źródło: Samsung
Bądź na bieżąco - obserwuj PurePC.pl na Google News
Zgłoś błąd
Liczba komentarzy: 13

Komentarze:

x Wydawca serwisu PurePC.pl informuje, że na swoich stronach www stosuje pliki cookies (tzw. ciasteczka). Kliknij zgadzam się, aby ta informacja nie pojawiała się więcej. Kliknij polityka cookies, aby dowiedzieć się więcej, w tym jak zarządzać plikami cookies za pośrednictwem swojej przeglądarki.