Toshiba otwiera nową fabrykę wafli krzemowych z myślą o produkcji m.in. tranzystorów MOSFET oraz IGBT

W związku z napięciami geopolitycznymi między Stanami Zjednoczonymi Ameryki a Chinami, coraz częściej pojawiają się informacje o nowo powstających i planowanych fabrykach półprzewodników. Choć Toshiba nie bierze udziału w wyścigu o najmniejsze i najbardziej zaawansowane procesy litograficzne, również otwiera nowy zakład produkcyjny w Kaga w prefekturze Ishikawa w Japonii. Placówka będzie zajmować się m.in. produkcją wafli krzemowych o średnicy 300 milimetrów.

Toshiba otwiera nowy zakład produkcyjny wafli krzemowych o średnicy 300 milimetrów w Kaga w prefekturze Ishikawa w Japonii. Placówka będzie głównie zajmować się produkcją tranzystorów mocy MOSFET i IGBT.

TSMC może w sytuacji zagrożenia zdalnie dezaktywować swoje maszyny służące do produkcji chipów

Toshiba otworzyła nową fabrykę półprzewodników w Kaga w prefekturze Ishikawa w Japonii podczas ceremonii 23 maja 2024 roku. Obecnie ukończone są obiekty produkcyjne i budynki biurowe, co odzwierciedla połowę pierwszej fazy inwestycji. Maszyny produkcyjne, osprzęt oraz pozostałe wyposażenie zostaną zainstalowane i uruchomione w drugiej połowie roku fiskalnego 2024. Fabryka pozwoli Toshibie zwiększyć moce produkcyjne o 2,5 razy względem roku fiskalnego 2021, kiedy to opracowano plan inwestycyjny. Fabryka została zaprojektowana tak, aby hale produkcyjne były wyizolowane sejsmicznie, a konstrukcje pochłaniały wszelkie wstrząsy sejsmiczne. Obiekty zostały już zasilone przez wydajne panele słoneczne umieszczone na dachach budynków. Producent deklaruje, że proces produkcyjny będzie częściowo nadzorowany przez sztuczną inteligencję, która ma zapewnić wysoką wydajność i jakość.

Apple chce zarezerwować u TSMC pierwszą partię wafli 2 nm, które posłużą do produkcji procesorów kolejnych generacji

Toshiba spodziewa się otrzymać dotację z Ministerstwa Gospodarki, Handlu i Przemysłu Japonii na dofinansowanie części sprzętu produkcyjnego. Fabryka w Kaga będzie produkowała wafle krzemowe o średnicy 300 milimetrów, które posłużą głównie do produkcji tranzystorów mocy MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) i IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) oraz elementów półprzewodnikowych optoelektronicznych. Wymienione rodzaje tranzystorów znajdują zastosowanie w różnych układach zasilania, takich jak wzmacniacze dużej mocy, korektory i regulatory napięcia oraz mocy, zasilacze impulsowe (m.in. zasilacze komputerowe). Natomiast elementy optoelektroniczne są przeznaczone głównie do zastosowań sieciowych, takich jak zabezpieczenia kart sieciowych, routery światłowodowe i wkładki SFP.