Test Xiaomi 11T Pro – ekspresowe ładowanie 120 W, donośny dźwięk stereo Harman Kardon i genialne zdjęcia makro

Xiaomi 11T Pro – Test procesora Geekbench

Jednostkę mobilną Qualcomm Snapdragon 888 wykonano w 5 nm procesie technologicznym TSMC. Chip składa się z pojedynczego rdzenia Kryo 680 o taktowaniu 2,84 GHz, trzech rdzeni Kryo 680 pracujące w częstotliwości 2,42 GHz oraz czterech rdzenie Kryo 680 z zegarem 1,80 GHz. W teście Geekbench (pojedynczy rdzeń) uzyskałem wynik 828 punktów, co daje nam wydajność porównywalną ze smartfonami realme GT Master Edition oraz OnePlus Nord. Wyższa średnia półka? Owszem. W teście wielordzeniowym „wykręciłem” 3268 pkt, czyli nieco lepiej, bo porównywalnie do flagowego OnePlus 9 Pro.

Geekbench 5.2.5

Jeden rdzeń

punkty (więcej=lepiej)

144

288

432

576

720

864

1008

1152

Xiaomi Mi 11 5G
Snapdragon 888, 12 GB

1127

OnePlus 9 Pro
Snapdragon 888, 12 GB

1127

Vivo X60 Pro
Snapdragon 870, 12 GB

1030

Xiaomi 11T Pro
Snapdragon 888, 8 GB

828

OnePlus Nord2
Dimensity 1200, 12 GB

825

realme GT Master
Edition Snapdragon 778G, 8 GB

786

TCL 20 Pro 5G
Snapdragon 750G, 6G

654

Redmi Note 10 Pro
Snapdragon 732G, 6 GB

630

Vivo X51 5G
Snapdragon765G, 8 GB

627

OPPO Reno5 5G
Snapdragon 765G, 8 GB

610

Geekbench 5.2.5

Wiele rdzeni

punkty (więcej=lepiej)

488

976

1464

1952

2440

2928

3416

3904

Xiaomi Mi 11 5G
Snapdragon 888, 12 GB

3904

Vivo X60 Pro
Snapdragon 870, 12 GB

3711

Redmi Note 10 Pro
Snapdragon 732G, 6 GB

3601

OnePlus 9 Pro
Snapdragon 888, 12 GB

3413

Xiaomi 11T Pro
Snapdragon 888, 8 GB

3268

realme GT Master
Edition Snapdragon 778G, 8 GB

2900

OnePlus Nord2
Dimensity 1200, 12 GB

2553

TCL 20 Pro 5G
Snapdragon 750G, 6G

1972

Vivo X51 5G
Snapdragon765G, 8 GB

1969

OPPO Reno5 5G
Snapdragon 765G, 8 GB

1800

• « pierwsza
• ‹ poprzednia
• …
• 3
• 4
• 5
• 6
• 7
• 8
• 9
• 10
• 11
• następna ›
• ostatnia »