Dwóch naukowców z amerykańskiego Uniwersytetu Urbana-Champaign opracowało niezwykle szybki tranzystor, który może pracować z częstotliwością nawet 604 GHz.
Jak przyznają autorzy projektu, wynalazek może wykonywać 604 miliardów operacji na sekundę, czyli trzy razy szybciej niż podobne produkty na bazie krzemu. Długość prototypu nie przekracza 500 nm.

Naukowcy wyjaśniają, że nowy tranzystor składa się z trzech warstw, wykonanych z fosforku indu (InP) i arsenku indowo-galowego (InGaAs) oraz umieszczonych jedna na drugiej. Dzięki temu udało się zwiększyć szybkość elektronów, przemieszczających się między poszczególnymi warstwami.