Pamięci Flash w technologi 60 nanometra
Koreański koncern Samsung ogłosił wyprodukowanie 60-nanometrowych układów pamięci flash o pojemności 2 gigabitów, które oferują podwójnie szybsze czasy zapisu w porównaniu do poprzednich produktów firmy. Zapis danych w nowych układach odbywa się z prędkością 17 MB/s, chociaż producent przewiduje, że może się zwiększyć do 136MB/s, gdy połączonych zostanie osiem 2-gigabitowych chipów. Informacje na temat dostępności rynkowej nowych pamięci nie są na razie znane. Jak podają zaufani informatorzy konkurencja pracuje już nad pamięciami 4GB w technologii 60nm. Użytkownicy mogą już po mału zacierać ręce bo szykuje się ostra wojna o prym na rynku pamięci flash.
Powiązane publikacje

SSD PCIe 5.0 pozostaną standardem na najbliższe pięć lat. PCIe 6.0 jest zbyt kosztowne dla rynku konsumenckiego
50
Seagate 4 TB NVMe Expansion Card - oto pamięć dla konsol Xbox. W jej cenie kupisz... model Series S i kilka gier
11
SK hynix prezentuje 321-warstwowe moduły UFS 4.1. Powinny idealnie pasować do przyszłych ultracienkich smartfonów
10
Crucial T710 i X10 na Computex 2025. Rekordowe prędkości 14,9 GB/s i 276-warstwowy NAND dla graczy, twórców oraz aplikacji AI
18