IBM wyprodukowało prototyp 7-nanometrowego układu

Kilka dni temu informowaliśmy Was o ważnym osiągnięciu firmy Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, której udało się wyprodukować prototyp 10-nanometrowej jednostki SoC posiadającej rdzenie ARM Cortex-A57. Wiele wskazywało na to, że chociaż na chwilę odpoczniemy od informacji dotyczących procesów technologicznych i innych technicznych aspektów związanych z układami dla urządzeń mobilnych i komputerów. Nic bardziej mylnego. Wczoraj do sieci trafiła kolejna ważna wiadomość, która również dotyczy litografii w wymiarze niższym niż 14 nanometrów. Okazuje się, że sporymi osiągnięciami w tym temacie może pochwalić się także IBM, jakie wraz z Samsungiem i GlobalFoundries oraz Uniwersytetem Stanowym Nowego Jorku (SUNY) wyprodukowało prototyp 7-nanometrowej jednostki.

To kolejne ważne osiągnięcie dla opracowania niższych procesów technologicznych.

Inżynierowie przy tak niskim wymiarze natrafili już na poważne problemy wynikające z jeszcze mniejszych odległości pomiędzy tranzystorami, ale udało się je rozwiązać przez zastosowanie germanu, który zwiększa mobilność elektronów. Zastosowano technologię EUV (Extreme Ultraviolet Litography) pozwalającą na zmniejszenie długości fali ze 193 nanometrów do 13,5 nanometra.

Dzięki temu podczas wytwarzania układu można zmniejszyć ilość etapów, a co za tym idzie ograniczyć koszt produkcji. Układy w wymiarze 7 nanometrów mają być o połowę mniejsze od 10-nanometrowych odpowiedników, natomiast wydajność na wat może wzrosnąć do 50%. Warto pamiętać, że mamy do czynienia z prototypem - na produkcję większej ilości egzemplarzy przyjdzie nam jeszcze poczekać. Masowe wytwarzanie 7-nanometrowych jednostek ma ruszyć w 2017 lub 2018 roku.