Technologia MRAM - Ewolucja pamięci RAM coraz bliżej

Zespół naukowców z Wydziału Inżynierii Elektrycznej i Komputerowej w National University of Singapore (NUS), opracował nową technologię produkcji pamięci MRAM (Magnetoresistive Random Access Memory), która zwiększy przestrzeń dostępną do przechowywania informacji. Innowacyjne rozwiązanie znacząco poprawi jakość produkowanych modułów, gdzie dane pozostają nienaruszone nawet w przypadku zaniku zasilania. Zespół złożył już wniosek o amerykański patent na opisywaną technologię. Kierujący pracami Dr Yang, tak mówi o korzyściach wynikających z nowej pamięci - Z punktu widzenia konsumentów, nie trzeba będzie już czekać na załadowanie danych podczas rozruchu komputerów czy laptopów. Wzrośnie ilość dostępnego miejsca do przechowywania, a pamięć zostanie tak ulepszona, aby nie było już potrzeby ciągłego naciskania przycisku „zapisz” - pliki będą zachowane nawet w przypadku zaniku zasilania.

Zapisane dane będą przechowywane bez żadnego uszczerbku przez co najmniej 20 lat. Aktualnie realizowane projekty wykorzystujące bardzo cienką warstwę magnetyczną, mogą przechowywać dane do roku czasu. Dzięki oszczędności energetycznej jaką oferuje nowa pamięć, możemy liczyć, iż w przyszłości najnowsze smartfony będą działały na jednym ładowaniu do tygodnia czasu i coraz dłużej wraz z postępem technologi.

Obecnie realizowane metody produkcji pamięci MRAM krążą wokół magnetyzacji prądami indukcyjnymi na powierzchni lub płaszczyźnie poziomej. Metoda ta wykorzystuje ultra cienkie struktury ferromagnetyczne, bardzo trudne do wytworzenia z powodu grubości warstwy, która jest mniejsza niż 1 nm. Problemem pozostaje również niezawodność produkcji. Mimo wszystko, jest duże zainteresowanie badawcze pamięciami typu MRAM, ponieważ technologia posiada potencjał rozwojowy mogąc zapewnić zapis o wysokiej gęstości bitowej z zachowaniem niskiego poboru energii, co może zrewolucjonizować rynek pamięci RAM.

Zespół naukowców z NUS przy współpracy z King Abdullah University of Science and Technology w Arabii Saudyjskiej, starają się rozwiązać problemy pamięciami MRAM, wprowadzając wielowarstwowe struktury magnetyczne o grubości 20 nm, zapewniając alternatywną strukturę filmu do transmisji i przechowywanie danych. Wyniki ich dobrze rokujących badań zostały opublikowane 9 grudnia w Physical Review Letters. W następnej fazie swoich prac zespół planuje zaimplementować stworzone struktury w komórkach pamięci. Obecnie poszukiwani są partnerzy branżowi, którzy mogli by wykorzystać nową technologię w swoich produktach.

Innowacyjne rozwiązanie znacząco poprawi jakość produkowanych modułów, gdzie dane pozostają nienaruszone nawet w przypadku zaniku zasilania.

W ramach ciekawostki dodajmy - pierwsze prace nad pamięciami MRAM przeprowadzał IBM. Obecnie najbardziej zaawansowani w tej technologii są Altis Semiconductor i Freescale Semiconductor (dawniej dział półprzewodników firmy Motorola). Na koniec przytoczmy jeszcze zalety technologii MRAM:

• praktycznie nieograniczony czas przechowywania informacji bez zasilania
• praktycznie nieograniczona liczba cykli zapis / odczyt
• duża szybkość działania - czas zapisu ok. 30 ns (porównywalny z DRAM)

Źródło: ECMAG / Wikipedia