Zgłoś błąd

X

Zanim wyślesz zgłoszenie, upewnij się że przyczyną problemów nie jest dodatek blokujący reklamy.

Typ zgłoszenia
Treść zgłoszenia
Twój email (opcjonalnie)
Nie wypełniaj tego pola
.
Załóż konto
EnglishDeutschРусскийFrançaisEspañol中国

pamięć flash

Jak podłączyć pendrive do smartfona z wyjściem USB-C i microUSB

Jak podłączyć pendrive do smartfona z wyjściem USB-C i microUSB

Obecne dziś na rynku smartfony proponują albo wystarczającą ilość wbudowanej pamięci masowej (256 GB w telefonie nikogo już nie dziwi) albo też (w rozwiązaniach budżetowych) niewielką pojemność rzędu 16 / 32 GB, wspieraną jednak obsługą kart pamięci do 512 GB. Jeszcze kilka lat temu, gdyby ktoś powiedział nam, że wkrótce będziemy nosić półterabajtowy magazyn pamięci w kieszeni, popukalibyśmy się w czoło. Dziś takie pojemności to już standard nie tylko jeśli chodzi o przenośne dyski...

Ditellurek molibdenu najlepszym materiałem na pamięci ReRAM

Ditellurek molibdenu najlepszym materiałem na pamięci ReRAM

Materiały 2D, pamięci ReRAM - wszystko to może brzmieć jak z filmu science - fiction. Pamiętam jednak doskonale czasy, kiedy półprzewodniki i PC wydawały się taką samą abstrakcją. Warto więc czasem posłuchać jaka przyszłość komputerowych podzespołów wyłania się z naukowych laboratoriów. O materiałach 2D wiemy już sporo, wciąż jednak szukamy optymalnych do wykorzystania choćby w pamięciach czy procesorach. Tym razem inżynierowie z amerykańskiego Uniwersytetu Purdue pod lupę wzięli ditellurek...

Pierwsze 96-warstwowe pamięci 3D NAND do smartfonów

Pierwsze 96-warstwowe pamięci 3D NAND do smartfonów

Wideo w jakości 4K, duże pliki zdjęciowe czy filmowe, Sztuczna Inteligencja, nowe czujniki - smartfony rozwijają się w niezwykłym tempie. Żeby utrzymać wysoką wydajność takiego urządzenia potrzebne są wysokiej jakości podzespoły. I dotyczy to praktycznie każdego elementu w tym oczywiście także pamięci masowych. Nowy dysk Western iNAND MC EU321 EFD wykorzystuje 96-warstwową technologię półprzewodnikowych kości pamięci 3D NAND, zaawansowane możliwości interfejsu UFS 2.1 i architekturę iNAND...

Kingston HyperX Savage 128 GB. Brutalnie szybki pendrive

Kingston HyperX Savage 128 GB. Brutalnie szybki pendrive

Pomimo upowszechniania się bezpłatnych usług chmurowych oraz stałego dostępu do internetu, które pozwalają na zarządzanie naszymi plikami praktycznie wszędzie, zapotrzebowanie na pendrive'y nie słabnie. Wprost przeciwnie - przybywa coraz pojemniejszych przenośnych pamięci flash, które pod względem wydajności są zbliżone do dysków SSD. Reprezentantem właśnie takiej klasy urządzeń jest najnowszy pendrive Kingston HyperX Savage 128 GB, według producenta mogący osiągać nawet 250 MB/s w zapisie...

Intel przystosuje chińską fabrykę do produkcji pamięci NAND

Intel przystosuje chińską fabrykę do produkcji pamięci NAND

Rosnące zapotrzebowanie na kości pamięci typu NAND Flash motywuje producentów do zwiększania mocy przerobowych i przygotowywania się na coraz większe zamówienia. Intel jako główny dostawca procesorów dla komputerów osobistych posiada wiele fabryk mogących zostać wykorzystanych do wytwarzania produktów tego typu - czasy jednak się zmieniają i niektóre zakłady powinny zająć się produkcją innych układów, ponieważ wzrasta zapotrzebowanie właśnie na nie. Podobnie będzie w przypadku najnowszej...

SanDisk Connect Wireless Stick - Bezprzewodowy pendrive

SanDisk Connect Wireless Stick - Bezprzewodowy pendrive

Jeszcze do niedawna mało kto przewidywał tak wielką popularność urządzeń mobilnych oraz tak szybki wzrost rynku smartfonów. Dzisiaj obecność mądrego telefonu w kieszeni typowego Kowalskiego już nikogo nie dziwi, a posiadacze klasycznych urządzeń GSM są często uważani za hipsterów, profesjonalistów dbających o swoje bezpieczeństwo lub wielbicieli starych technologii. Wymiana informacji w przypadku sprzętu mobilnego wbrew pozorom odbywa się nie tylko przez interfejsy bezprzewodowe, co jest oczywiście...

Pamięci Flash w technologi 60 nanometra

Pamięci Flash w technologi 60 nanometra

Koreański koncern Samsung ogłosił wyprodukowanie 60-nanometrowych układów pamięci flash o pojemności 2 gigabitów, które oferują podwójnie szybsze czasy zapisu w porównaniu do poprzednich produktów firmy. Zapis danych w nowych układach odbywa się z prędkością 17 MB/s, chociaż producent przewiduje, że może się zwiększyć do 136MB/s, gdy połączonych zostanie osiem 2-gigabitowych chipów. Informacje na temat dostępności rynkowej nowych pamięci nie są na razie znane. Jak podają zaufani informatorzy...

x Wydawca serwisu PurePC.pl informuje, że na swoich stronach www stosuje pliki cookies (tzw. ciasteczka). Kliknij zgadzam się, aby ta informacja nie pojawiała się więcej. Kliknij polityka cookies, aby dowiedzieć się więcej, w tym jak zarządzać plikami cookies za pośrednictwem swojej przeglądarki.