Zgłoś błąd

X

Zanim wyślesz zgłoszenie, upewnij się że przyczyną problemów nie jest dodatek blokujący reklamy.

Typ zgłoszenia
Treść zgłoszenia
Twój email (opcjonalnie)
Nie wypełniaj tego pola
.
Załóż konto
EnglishDeutschРусскийFrançaisEspañol中国

finwet

Intel gotowy do produkcji pamięci MRAM w technologii FinFET

Intel gotowy do produkcji pamięci MRAM w technologii FinFET

Intel jest gotowy do rozpoczęcia produkcji i podał szczegóły dotyczące swojej pamięci magnetorezystancyjnej SST-MRAM czyli Spin Transfer Torque – Magnetoresistive Random Access Memory. Nie jest to nowość, ale technologia ta wciąż nie znalazła jeszcze szerszego zastosowania. Mimo wielu zalet. Jest to rodzaj pamięci nieulotnej RAM wykorzystującej tunelowy efekt magnetorezystancyjny pracującej w oparciu o prądy spinowe. Element pamięciowy zbudowany jest z trzech warstw: miękkiej warstwy ferromagnetycznej,...

x Wydawca serwisu PurePC.pl informuje, że na swoich stronach www stosuje pliki cookies (tzw. ciasteczka). Kliknij zgadzam się, aby ta informacja nie pojawiała się więcej. Kliknij polityka cookies, aby dowiedzieć się więcej, w tym jak zarządzać plikami cookies za pośrednictwem swojej przeglądarki.