Szybsze GDDR5 od Hynixa już gotowe
Znany producent układów DRAM - Hynix - zapowiedział oficjalnie nowe kości 7 GT/s GDDR5. Chipy te, zostały zbudowane w technologii silikonowej 54nm. Kość o pojemności 128MB (1Gb), oznaczona jako H5GQ1H24AFR, pracuje z szybkością 7 Gbps (7 GT/s), czyli o 40% szybciej niż poprzednie układy (5 GT/s), które są obecnie w produkcji. Wydajność ma być na poziomie 28GB na sekundę przy 32-bitowym interfejsie. 54nm proces technologiczny oznacza też mniejsze zapotrzebowanie na energię, więc do zasilenia potrzeba tylko 1.35V. Masowa produkcja ma się rozpocząć w pierwszej połowie 2009 roku. Objęte standardem "JEDEC" (zrzeszającym producentów układów typu "solid-state") moduły GDDR5, o wielkości 128MB, przeznaczone mają być dla systemów typu High-End, takich jak konsole do gier czy karty graficzne (czyżby Ati i Nvidia wprowadziły je razem z nowymi seriami Radeonów oraz GeForceów, zapowiadanymi na połowę 2009 roku?).
Źródło: Techpowerup
Bądź na bieżąco - obserwuj PurePC.pl na Google News
Zgłoś błąd
Powiązane publikacje

YMTC zwiększa skalę mimo sankcji USA. Nowe zakłady i technologia Xtacking 4.0 to ruch pod rynek pamięci NAND i DRAM
20
AI pożre całą pamięć na świecie? Szef Della twierdzi, że zwykły użytkownik też zapłaci za ten wyścig
78
Microsoft i Google chcą zabetonować rynek pamięci. SK hynix negocjuje wieloletnie kontrakty DDR5 dla AI
25
Kryzys RAM: jak wygląda sytuacja w kwietniu 2026 roku? Oto ceny za wybrane moduły od Corsair, G.SKILL, Kingston i GOODRAM
60
Samsung jest głównym dostawcą pamięci HBM4 Gen 6 dla platformy AMD Instinct MI455X i architektury rack-scale Helios
4Liczba komentarzy: 0
Ten wpis nie ma jeszcze komentarzy. Zaloguj się i napisz pierwszy komentarz.












