SK Hynix ujawnia pierwsze szczegóły dotyczące pamięci HBM3, charakteryzującymi się imponującą przepustowością

SK Hynix jest obecnie jednym z największych producentów pamięci DRAM oraz drugim, obok Samsunga, który produkuje także moduły HBM odznaczające się dużo większą przepustowością w porównaniu do zwykłych pamięci DDR/GDDR. W przeszłości firma AMD bardzo chętnie wykorzystywała pamięci HBM/HBM2, które choć oferowały wysoką przepustowość, jednocześnie nie wpływały specjalnie na wydajność w grach, a do tego cechowały się zauważalnie wyższą ceną. Obecnie moduły HBM wykorzystywane są przede wszystkim w profesjonalnych akceleratorach przeznaczonych na rynek HPC tj. NVIDIA A100, AMD Radeon Instinct MI100 czy nadchodzący Intel Ponte Vecchio. SK Hynix w połowie zeszłego roku wprowadził do oferty moduły HBM2E, a teraz przyszła w końcu pora na zdradzenie pierwszych konkretów dotyczących ich następcy - HBM3.

Firma SK Hynix podzieliła się pierwszymi szczegółami dotyczącymi specyfikacji pamięci HBM3, choć data premiery nadal pozostaje nieznana.

SK Hynix rozpoczął masową produkcję pamięci DRAM HBM2E

W porównaniu do pamięci HBM2 oraz HBM2E, nowy typ modułów HBM3 (High Bandwidth Memory) ma odznaczać się zauważalnie wyższymi prędkościami transferu oraz bardziej dopracowanymi technikami z zakresu termiki. Co ciekawe, SK Hynix ujawnił kilka konkretów dotyczących parametrów pamięci zanim jeszcze szczegóły nadchodzącego standardu zostały opracowane przez firmę JEDEC. Już wprowadzone w ubiegłym roku do oferty pamięci HBM2E mają bardzo wysoką przepustowość rzędu 460 GB/s dla pojedynczego stosu. Nadchodząca generacja zwiększy ten parametr do przynajmniej 665 GB/s dla jednego stosu. Przy wykorzystaniu kilku stosów, łączna przepustowość pamięci może dojść do 2,66-3,99 TB/s, w zależności od konkretnej liczby stosów.

SiPearl Rhea: 72-rdzeniowe układy SoC z hybrydową pamięcią HBM2E i DDR5 będą wytwarzane przez TSMC w litografii 6 nm

W przypadku szybkości obliczeń wejścia/wyjścia (I/O), pamięci HBM2E charakteryzowały się wynikiem na poziomie 3.6 Gbps. Dla nowych modułów HBM3 będzie to już powyżej 5.2 Gbps. Jest to wynik o 44% wyższy w porównaniu do poprzedniej generacji pamięci HBM. Do tego dochodzą usprawnione techniki rozpraszania ciepła, co powinno w dalszym ciągu pozytywnie wpłynąć na temperatury pod obciążeniem. Niestety nadal nie znana jest dokładna data premiery pamięci HBM3. Nie spodziewamy się jednak ich wykorzystania w sektorze gamingowym. Najpewniej kolejne generacje profesjonalnych akceleratorów od NVIDII, AMD oraz Intela będą w stanie wykorzystać możliwości oferowane przez moduły HBM3.