Zgłoś błąd
X
Zanim wyślesz zgłoszenie, upewnij się że przyczyną problemów nie jest dodatek blokujący reklamy.
Błędy w spisie treści artykułu zgłaszaj jako "błąd w TREŚCI".
Typ zgłoszenia
Treść zgłoszenia
Twój email (opcjonalnie)
Nie wypełniaj tego pola
.
Załóż konto
EnglishDeutschукраїнськийFrançaisEspañol中国

SK Hynix ujawnia pierwsze szczegóły dotyczące pamięci HBM3, charakteryzującymi się imponującą przepustowością

Damian Marusiak | 10-06-2021 16:30 |

SK Hynix ujawnia pierwsze szczegóły dotyczące pamięci HBM3, charakteryzującymi się imponującą przepustowościąSK Hynix jest obecnie jednym z największych producentów pamięci DRAM oraz drugim, obok Samsunga, który produkuje także moduły HBM odznaczające się dużo większą przepustowością w porównaniu do zwykłych pamięci DDR/GDDR. W przeszłości firma AMD bardzo chętnie wykorzystywała pamięci HBM/HBM2, które choć oferowały wysoką przepustowość, jednocześnie nie wpływały specjalnie na wydajność w grach, a do tego cechowały się zauważalnie wyższą ceną. Obecnie moduły HBM wykorzystywane są przede wszystkim w profesjonalnych akceleratorach przeznaczonych na rynek HPC tj. NVIDIA A100, AMD Radeon Instinct MI100 czy nadchodzący Intel Ponte Vecchio. SK Hynix w połowie zeszłego roku wprowadził do oferty moduły HBM2E, a teraz przyszła w końcu pora na zdradzenie pierwszych konkretów dotyczących ich następcy - HBM3.

Firma SK Hynix podzieliła się pierwszymi szczegółami dotyczącymi specyfikacji pamięci HBM3, choć data premiery nadal pozostaje nieznana.

SK Hynix ujawnia pierwsze szczegóły dotyczące pamięci HBM3, charakteryzującymi się imponującą przepustowością [1]

SK Hynix rozpoczął masową produkcję pamięci DRAM HBM2E

W porównaniu do pamięci HBM2 oraz HBM2E, nowy typ modułów HBM3 (High Bandwidth Memory) ma odznaczać się zauważalnie wyższymi prędkościami transferu oraz bardziej dopracowanymi technikami z zakresu termiki. Co ciekawe, SK Hynix ujawnił kilka konkretów dotyczących parametrów pamięci zanim jeszcze szczegóły nadchodzącego standardu zostały opracowane przez firmę JEDEC. Już wprowadzone w ubiegłym roku do oferty pamięci HBM2E mają bardzo wysoką przepustowość rzędu 460 GB/s dla pojedynczego stosu. Nadchodząca generacja zwiększy ten parametr do przynajmniej 665 GB/s dla jednego stosu. Przy wykorzystaniu kilku stosów, łączna przepustowość pamięci może dojść do 2,66-3,99 TB/s, w zależności od konkretnej liczby stosów.

SK Hynix ujawnia pierwsze szczegóły dotyczące pamięci HBM3, charakteryzującymi się imponującą przepustowością [2]

SiPearl Rhea: 72-rdzeniowe układy SoC z hybrydową pamięcią HBM2E i DDR5 będą wytwarzane przez TSMC w litografii 6 nm

W przypadku szybkości obliczeń wejścia/wyjścia (I/O), pamięci HBM2E charakteryzowały się wynikiem na poziomie 3.6 Gbps. Dla nowych modułów HBM3 będzie to już powyżej 5.2 Gbps. Jest to wynik o 44% wyższy w porównaniu do poprzedniej generacji pamięci HBM. Do tego dochodzą usprawnione techniki rozpraszania ciepła, co powinno w dalszym ciągu pozytywnie wpłynąć na temperatury pod obciążeniem. Niestety nadal nie znana jest dokładna data premiery pamięci HBM3. Nie spodziewamy się jednak ich wykorzystania w sektorze gamingowym. Najpewniej kolejne generacje profesjonalnych akceleratorów od NVIDII, AMD oraz Intela będą w stanie wykorzystać możliwości oferowane przez moduły HBM3.

Źródło: Tom's Hardware, VideoCardz
Bądź na bieżąco - obserwuj PurePC.pl na Google News
Zgłoś błąd
Liczba komentarzy: 15

Komentarze:

x Wydawca serwisu PurePC.pl informuje, że na swoich stronach www stosuje pliki cookies (tzw. ciasteczka). Kliknij zgadzam się, aby ta informacja nie pojawiała się więcej. Kliknij polityka cookies, aby dowiedzieć się więcej, w tym jak zarządzać plikami cookies za pośrednictwem swojej przeglądarki.