SK hynix szykuje DDR4 drugiej generacji w litografii 10+ nm

Drugi, wielki gracz na rynku pamięci RAM zaprezentował swoje kości DDR4 wykonane w litografii 10+ nm. SK Hynix chce zacząć produkcję nowych układów drugiej generacji 1Ynm 8Gb DDR4 DRAM na początku 2019 roku. Trzeba przyznać, że gigant z branży spóźnił się o rok w porównaniu z konkurencją. Wcześniej, bo w grudniu 2017 roku, podobne moduły zaczęły schodzić z fabrycznych taśm Samsunga. Nowy układ Hynix zapewnia 20 procentową poprawę wydajności w porównaniu z poprzednią generacją 1Xnm, a także mniejsze o ponad 15 procent zużycie energii. Nowe kości pamięci DDR4 SK Hynix 1Ynm 8 Gb obsługują prędkość transferu danych do 3200 MT/s.

Według raportów średnia cena modułów pamięci RAM o pojemności 8 GB spadła w stosunku kwartalnym o 10,29 procent.

SK Hynix wprowadził również własną technologię wzmacniacza odczytu - "sense amplifier control". W jej ramach firma ulepszyła strukturę tranzystora, aby zmniejszyć prawdopodobieństwo błędów danych oraz zamontowała nowy układ zasilania małej mocy, aby zmniejszyć zużycie energii. Sean Kim, szef marketingu DRAM w SK Hynix powiedział, że firma "planuje rozpocząć dostawy od pierwszego kwartału przyszłego roku. Hynix planuje zaoferować nowe pamięci najpierw dla serwerów i komputerów PC, a następnie dla innych urządzeń, takich jak smartfony czy tablety".

Samsung rozpoczął produkcję DRAM 10 nm drugiej generacji

Pamięci DRAM w litografii 10+ nm będą - wedle planów - produkowane w trzech kolejnych generacjach. Kolejne różną się od siebie oczywiście procesem litografii - każda następna produkowana jest w niższym przedziale. Pierwsza - 1xnm ma ma wartości od 16nm do 19nm. W grudniu 2017 roku pierwsze swoje kości drugiej generacji - 1Ynm (14nm do 16nm), przedstawił już Samsung. Następne pokolenie ma być z kolei oznaczone 1znm (12nm do 14nm). Według raportów średnia cena modułów pamięci RAM o pojemności 8 GB spadła w stosunku kwartalnym o 10,29 procent.