Samsung wykorzysta nową fabrykę do produkcji kości DRAM
Całkiem niedawno pisaliśmy o planach firmy Micron Technology będącej jednym z głównych producentów kości pamięci typu DRAM i NAND, a teraz skupimy się na innej znanej korporacji, która zamierza wykorzystać swoje możliwości do zwiększenia dostaw wspomnianych produktów. Samsung Electronics w październiku ubiegłego roku ogłosił, że planuje wybudować nową fabrykę w koreańskim mieście Pyeongtaek niedaleko stolicy kraju - inwestycja warta 15 miliardów dolarów była całkiem tajemnicza, gdyż producent nie ujawnił dokładnego przeznaczenia nowych linii produkcyjnych. Obiekty tego typu mogą zajmować się wytwarzaniem najróżniejszych podzespołów, a Samsung posiada przecież w swoim portfolio wiele rozwiązań dla różnych segmentów.
Samsung spodziewa się wzrostu zainteresowania pamięciami DRAM.
Według najnowszych doniesień prasowych, wielka fabryka o sporej mocy przerobowej zajmie się głównie wytwarzaniem kości pamięci typu DRAM (dynamic random access memory) wykorzystywanych przy produkcji modułów pamięci operacyjnej RAM dla urządzeń mobilnych i komputerów. Jedna z najnowszych inwestycji Koreańczyków ma zostać otwarta w 2016 roku - BusinessKorea donosi, że fabryka jest dwukrotnie większa od obiektu w Giheung i może pomieścić do pięciu linii produkcyjnych dla układów półprzewodnikowych. Dokładne możliwości nie są na razie znane, ale wspomniana przed chwilą fabryka Samsung S1 w Giheung może w miesiącu wytwarzać do 170 tysięcy wafli o średnicy 300 milimetrów.
Możemy więc spodziewać się, że nowa inwestycja pozwoli na dołożenie przynajmniej kolejnych 300 tysięcy wafli o tej samej średnicy. Jeżeli przecieki okażą się prawdziwe, to będziemy mogli mówić o solidnym zwiększeniu produkcji kości DRAM, co wiąże się oczywiście z rosnącą popularnością urządzeń mobilnych wykorzystujących produkty tego typu. Samsung Electronics to obecnie największy dostawca układów tego typu - według analityków, firma może zajmować nawet 42% całego rynku.
Źródło: KitGuru
Powiązane publikacje

Nowy rekord świata w overclockingu pamięci RAM DDR5, przebito kolejną barierę, osiągając prędkość 13 020 MT/s
5
SK Hynix wyprzedza Samsunga i Microna i jako pierwszy na świecie produkuje rewolucyjne pamięci HBM4. Wydajność wzrośnie o 69%
16
Samsung w desperacji. Koreańska firma gotowa na cenową wojnę z SK Hynix i Micron o lukratywne kontrakty NVIDIĄ na pamięci HBM4
14
Chiński duet YMTC i CXMT może zagrozić dominacji firm Samsung i SK Hynix na rynku pamięci HBM jeszcze w 2025 roku
44