Samsung rozpoczyna masową produkcję pamięci 512 GB eUFS 3.0

Urządzeniom mobilnym wciąż jeszcze daleko do naszych ukochanych PC. Podzespoły jakie dla nich powstają pokonują jednak kolejne bariery. Tym razem Samsung ogłosił, ze wprowadza do masowej produkcji najnowsze i najszybsze pamięci dla smartfonów. Trzeba przyznać, że specyfikacja kości 512 GB eUFS 3.0 robi wrażenie i sprawi, że przyszłe smartfony będą działać płynnie, nawet przy obsłudze wielu aplikacji czy wysokiej jakości wideo. Po wprowadzeniu na rynek wersji 512 GB oraz wersji 128 GB, Samsung planuje wyprodukować modele 1 TB i 256 GB w drugiej połowie roku. eUFS 3.0 zapewni urządzeniom mobilnym znacząca poprawę w niektórych aspektach wydajności takich jak przesyłanie plików, instalacja aplikacji, uzyskiwanie dostępu do plików.

Pamięci są oparte na piątej generacji V-NAND, a każdy układ zawiera także zintegrowany sterownik. Firma chwali się, że szybkość odczytu i zapisu nowej pamięci zapewnia 36 procentowy wzrost w stosunku do specyfikacji eUFS 2

Samsung ogłosił dzisiaj, że rozpoczął masową produkcję pierwszej w branży 512 GB pamięci Universal Flash Storage (eUFS) 3.0 przeznaczonej dla urządzeń mobilnych następnej generacji. Zgodnie z specyfikacją eUFS 3.0 nowa pamięć zapewnia dwukrotnie większą prędkość niż poprzednia - eUFS 2.1, dzięki czemu pamięć przenośna może obsługiwać bezproblemowo przyszłe smartfony z bardzo dużymi ekranami o wysokiej rozdzielczości. Szybkość odczytu to 2100 MB/s i jest czterokrotnie większa niż w przypadku dysku SSD SATA i 20 razy szybsza niż w przypadku typowej karty microSD, dzięki czemu smartfony mogą przesyłać na komputer filmy Full HD o wielkości 3,7 GB w ciągu około trzech sekund.

Samsung Galaxy S10e - wreszcie flagowiec z płaskim ekranem!

Ponadto, prędkość zapisu sekwencyjnego została zwiększona o 50 procent do 410 MB/s, co jest porównywalne z szybkością dysku SSD SATA. Pamięci są oparte na piątej generacji V-NAND, a każdy układ zawiera także zintegrowany sterownik. Firma chwali się, że szybkość odczytu i zapisu nowej pamięci zapewnia 36 procentowy wzrost w stosunku do obecnej specyfikacji eUFS 2, i teraz jest to odpowiednio 63 000 i 68 000 operacji wejścia/wyjścia na sekundę (IOPS). Dzięki takiemu skokowi wydajności wiele złożonych aplikacji może być uruchomionych na smartfonie jednocześnie.