Samsung rozpoczął produkcję pamięci LPDDR2 w 20 nanometrach
Światowy lider na rynku wszelkiego rodzaju pamięci, czyli koreański Samsung Electronics ogłosił dzisiaj początek produkcji najnowszych pamięci LPDDR2. Wyróżnia je osiągnięcie rekordowej pojemności 4GB dla pojedynczego układu. Tego rodzaju pamięci są przeznaczone do wysoko energooszczędnych urządzeń mobilnych, w których liczy się każdy wat pobieranej energii przekładający się na dodatkowy czas działania. Najnowsze kości Samsunga produkowane są w niedawno wprowadzonym, 20 nanometrowym procesie technologicznympozwalają na wytwarzanie modułów pamięci, które będą nawet o 20 procent cieńsze niż ich odpowiednicy produkowani w 30 nanometrach. Grubość nowych chipów to 0.8 mm, przy czym starsze kości również próbowano przystosować do takiego systemu, jednak z powodu trudności z produkcją na masową skalę nie były one szeroko dostępne.
Rozpowszechnienie się 20 nanometrowego procesu produkcji powoduje jak widać otrzymywanie nowych rozwiązań dla kolejnych segmentów rynku. Dla przypomnienia, w marcu Samsung ogłosił rozpoczęcie produkcji modułów o pojemności 8GB w standardzie DDR3 dla notebooków, również w 20 nanometrowym procesie technologicznym.
Źródło: TechPowerUP
Powiązane publikacje

Patriot świętuje 40-lecie na targach CES 2025 i prezentuje bardzo szybkie pamięci RAM DDR5 o prędkości 9600 MT/s
8
G.SKILL i ASUS we współpracy z overclockerem Safedisk biją kolejne rekordy w podkręcaniu pamięci RAM DDR5 do 10600 MT/s
10
G.SKILL prezentuje pamięci Ripjaws M5 RGB Neo, Trident Z5 Royal Neo i Trident Z5 Neo RGB o bardzo niskich timingach
26
Lexar zaprezentował moduły Ares DDR5-6000 RGB o niskich timingach. Rozwiązanie dedykowane jest platformie AM5
28