Samsung rozpoczął produkcję pamięci LPDDR2 w 20 nanometrach
Światowy lider na rynku wszelkiego rodzaju pamięci, czyli koreański Samsung Electronics ogłosił dzisiaj początek produkcji najnowszych pamięci LPDDR2. Wyróżnia je osiągnięcie rekordowej pojemności 4GB dla pojedynczego układu. Tego rodzaju pamięci są przeznaczone do wysoko energooszczędnych urządzeń mobilnych, w których liczy się każdy wat pobieranej energii przekładający się na dodatkowy czas działania. Najnowsze kości Samsunga produkowane są w niedawno wprowadzonym, 20 nanometrowym procesie technologicznympozwalają na wytwarzanie modułów pamięci, które będą nawet o 20 procent cieńsze niż ich odpowiednicy produkowani w 30 nanometrach. Grubość nowych chipów to 0.8 mm, przy czym starsze kości również próbowano przystosować do takiego systemu, jednak z powodu trudności z produkcją na masową skalę nie były one szeroko dostępne.
Rozpowszechnienie się 20 nanometrowego procesu produkcji powoduje jak widać otrzymywanie nowych rozwiązań dla kolejnych segmentów rynku. Dla przypomnienia, w marcu Samsung ogłosił rozpoczęcie produkcji modułów o pojemności 8GB w standardzie DDR3 dla notebooków, również w 20 nanometrowym procesie technologicznym.
Źródło: TechPowerUP
Powiązane publikacje

CXMT dostarcza Huawei próbki pamięci HBM3. Chiński gigant półprzewodników rzuca wyzwanie globalnym liderom
21
Samsung HBM4E to 13 Gbps na pin i 3,25 TB/s przepustowości. Specyfikacje pamięci siódmej generacji ujawnione
8
Crucial wprowadza pamięci LPCAMM2 8533 MT/s. Nowy standard dla laptopów łączy wydajność LPDDR5X z możliwością rozbudowy
27
Nowy rekord świata w overclockingu pamięci RAM DDR5, przebito kolejną barierę, osiągając prędkość 13 020 MT/s
5












