Zgłoś błąd
X
Zanim wyślesz zgłoszenie, upewnij się że przyczyną problemów nie jest dodatek blokujący reklamy.
Błędy w spisie treści artykułu zgłaszaj jako "błąd w TREŚCI".
Typ zgłoszenia
Treść zgłoszenia
Twój email (opcjonalnie)
Nie wypełniaj tego pola
Załóż konto
EnglishDeutschукраїнськийFrançaisEspañol中国
 

Samsung rozpoczął produkcję DRAM 10 nm drugiej generacji

Arkadiusz Bała | 21-12-2017 12:00 |

Samsung rozpoczął produkcję DRAM 10 nm drugiej generacjiTo co dzieje się na rynku pamięci spokojnie można nazwać kryzysem, przynajmniej z punktu widzenia konsumentów. W końcu ceny modułów RAM osiągają obecnie ceny, których nie widzieliśmy już od dawna, a rzesze użytkowników PC zmuszone są odkładać upgrade swoich komputerów na jakieś bardziej "normalne" czasy. Na całe szczęście trudno jednak mówić tutaj o zastoju. W końcu producenci układów za sprawą popytu znacząco przekraczającego podaż zarabiają rekordowe kwoty, dzięki czemu przynajmniej część tych środków może być przeznaczona na rozwój i wdrażanie nowych technologii. Jednym z tego efektów jest rozpoczęcie przez Samsunga produkcji już drugiej generacji pamięci DDR4 DRAM klasy 10 nm.

Nowe pamięci od Samsunga oferują poprawę wydajności i efektywności energetycznej o odpowiednio 10 i 15% względem poprzedniej generacji.

Samsung rozpoczął produkcję DRAM 10 nm drugiej generacji [2]

Przychody ze sprzedaży pamięci DRAM wzrosły w 2017 o 65%

Zanim przejdziemy do omawiania nowości związanych z nową generacją pamięci DRAM od Samsunga, przyda się małe wyjaśnienie - stosowanego przez Koreańczyków oznaczenia "klasa 10 nm" nie należy utożsamiać z litografią 10 nm. Po prostu Koreańczycy na potrzeby wizerunkowe oznaczają w ten sposób wszystkie litografie, które mieszczą się w przedziale od 10 do 19 nm. Niestety nie wiemy gdzie na tej skali dokładnie mieszczą się nowe kości, ale wiemy, że producentowi udało się wyraźnie zmniejszyć ich rozmiar względem poprzedniej generacji, poprawiając jednocześnie ich wydajność i efektywność energetyczną o odpowiednio 10 i 15%.

Samsung rozpoczął produkcję DRAM 10 nm drugiej generacji [1]

Samsung pracuje nad chipami w litografii 11 nm i 7 nm EUV

Nowe pamięci przeszły już proces certyfikacji u producentów procesorów, w związku z czym pierwszych wyposażonych w nie modułów możemy spodziewać się już w przyszłym roku. Dodatkowo w nieco dalszej przyszłości powinniśmy obserwować szereg innych, znacznie ciekawszych zapowiedzi ze strony Samsunga, bowiem koreański producent już dziś zapowiedział skupienie się na produkcji pamięci nowej generacji, takich jak DDR5 i HBM3. Prawdopodobnie będą one już produkowane w technologii 7 nm EUV, która powinna przynieść znacznie większy postęp niż ten, o którym dziś rozmawiamy.

Źródło: Samsung
Bądź na bieżąco - obserwuj PurePC.pl na Google News
Zgłoś błąd
Liczba komentarzy: 6

Komentarze:

x Wydawca serwisu PurePC.pl informuje, że na swoich stronach www stosuje pliki cookies (tzw. ciasteczka). Kliknij zgadzam się, aby ta informacja nie pojawiała się więcej. Kliknij polityka cookies, aby dowiedzieć się więcej, w tym jak zarządzać plikami cookies za pośrednictwem swojej przeglądarki.