Samsung rozpoczął produkcję 48-warstwowych modułów V-NAND

Producenci kości pamięci przeznaczonych dla nośników SSD zaczęli ostatnio chwalić się swoimi planami na przyszłość - dotyczą one głównie opracowywania kolejnych generacji pamięci typu 3D posiadających konstrukcję stosową. Intel z Micronem ogłosili ostatnio plan stworzenia pamięci nieulotnej typu 3D Xpoint, natomiast Toshiba i SanDisk pochwalili się opracowaniem kości pamięci 3D BiCS o pojemności 256 Gb. Kto następny pojawi się w informacjach dotyczących technologii przechowywania danych? Koreański Samsung jako największy dostawca nośników SSD ma tym temacie bardzo wiele do powiedzenia, a jego decyzje będą znacznie wpływały na przyszły kształt rynku.

Samsung cały czas rozwija swoją technologię 3D V-NAND.

Według oficjalnych informacji pochodzących od producenta, rozpoczęto właśnie masową produkcję modułów V-NAND TLC posiadających 48 warstw. Ułożenie stosowe (3D) pozwoliło inżynierom na osiągnięcie całkowitej pojemności dla modułu wynoszącej 256 Gb. Samsung po raz kolejny wykorzystał architekturę CTF (charge-trap-flash) polegającą na pionowym ułożeniu 48 warstw połączonych ze sobą przy pomocy 1,8 miliarda kanałów. Stworzenie modułu o pojemności 256 Gb (32 GB) pozwoli Samsungowi na zmniejszenie poboru mocy dla nośników SSD (do 30% mniej w stosunku do modułów 128 Gb).

Technologia producenta umożliwiła także zmniejszenie rozmiaru modułu o 40% pomimo jego większej pojemności. Masowa produkcja nowych podzespołów pozwoli na zwiększenie opłacalności wytwarzania nośników SSD, co może w przyszłości pozwolić na zmniejszenie cen najpojemniejszych dysków półprzewodnikowych. Nie ulega wątpliwości, że za kilka miesięcy do sprzedaży trafią kolejne nośniki SSD od Samsunga oferujące pojemność 2 TB lub większą.