Samsung rozpoczął produkcję 20-nanometrowych pamięci DDR3

Czekacie na wprowadzenie pamięci typu DDR4 do komputerów osobistych? Tak naprawdę zwykły śmiertelnik nie zauważy różnicy między szybkimi modułami DDR3 o dobrych częstotliwościach i niskich opóźnieniach a nowymi zestawami zgodnymi ze standardem DDR4 - nie oznacza to jednak, że magia liczb przestała obowiązywać i teraz nikt nie zwraca uwagi na cyfry w nazwie modelu. Na razie producentów pamięci blokują twórcy popularnych procesorów, którzy nie spieszą się z wprowadzeniem wsparcia dla modułów DDR4 w swoich chipsetach. Intel być może wprowadzi taką możliwość już w tegoroczne wakacje, jednak specyfikacja chipsetu Intel X99 dla platformy Haswell-E nie jest jeszcze do końca pewna. Konkurencyjne AMD na razie myśli jak zwiększyć popularność swoich jednostek APU Kaveri, a przyszła generacja na pewno została przełożona na początek 2015 roku. Co w tej sytuacji powinni zrobić producenci modułów DDR3?

Samsung ogłosił właśnie uruchomienie masowej produkcji 20-nanometrowych pamięci bieżącej generacji - informacja dotyczy modeli DRAM o pojemności 4 GB. Co ciekawe, od ogłoszenia chęci tworzenia modułów tego typu minął już rok. Co nam daje niższy proces technologiczny w przypadku pamięci? Podobnie jak w innych podzespołach, zejście do niższej litografii gwarantuje zmniejszenie poboru energii - w tym przypadku mówimy o spadku o 25% w stosunku do 25-nanometrowego procesu technologicznego. Nowe kości są tworzone przy użyciu technologii laserowej z wykorzystaniem ArF (Argon Fluoride). Samsung wspomniał także, iż planuje uruchomić w przyszłości produkcję 10-nanometrowych modułów DRAM. Na popularyzację standardu DDR4 poczekamy sobie jeszcze co najmniej rok.

Niższy proces technologiczny to przede wszystkim zmniejszenie poboru energii - ta zasada obowiązuje także w przypadku modułów DRAM o tej samej pojemności.

Źródło: VR-Zone