Zgłoś błąd
X
Zanim wyślesz zgłoszenie, upewnij się że przyczyną problemów nie jest dodatek blokujący reklamy.
Błędy w spisie treści artykułu zgłaszaj jako "błąd w TREŚCI".
Typ zgłoszenia
Treść zgłoszenia
Twój email (opcjonalnie)
Nie wypełniaj tego pola
.
Załóż konto
EnglishDeutschукраїнськийFrançaisEspañol中国

Samsung opracował pierwszą pamięć DDR5 o zawrotnej pojemności 512 GB. Jest ponad dwukrotnie wydajniejsza od DDR4

Bartosz Woldański | 25-03-2021 15:00 |

Samsung opracował pierwszą pamięć DDR5 o zawrotnej pojemności 512 GB. Jest ponad dwukrotnie wydajniejsza od DDR4Firma Samsung, czołowy producent pamięci RAM, oficjalnie ogłosił, że udało mu się opracować pierwszą w historii kość pamięci typu DDR5 o zawrotnej pojemności 512 GB w zaawansowanym procesie technologicznym HKMG (High-K Metal Gate), wykorzystywanym tradycyjnie w półprzewodnikowych układach logicznych. Dzięki zastąpieniu izolatora materiałem HKMG pamięci DDR5 mają ostatecznie zaoferować znacznie wyższą wydajność przy jednocześnie niższym zużyciu energii. Na energooszczędność stawia się przede wszystkim w centrach danych, gdzie najbardziej docenią nową technologię. Proces ten był po raz pierwszy zaadaptowany w 2018 roku w produkowanych przez południowokoreańskiego producenta pamięciach GDDR6. Jaką wydajność zaoferuje 512 GB DDR5 od Samsunga?

Firma Samsung stworzyła pierwsze w historii pamięci DDR5 o zawrotnej pojemności 512 GB, które mają oferować ponad dwukrotnie wyższą wydajność niż DDR4 (do 7200 Mb/s) przy niższym o 13% zużyciu energii. 

Samsung opracował pierwszą pamięć DDR5 o zawrotnej pojemności 512 GB. Jest ponad dwukrotnie wydajniejsza od DDR4 [1]

Test wydajności pamięci RAM DDR4 TeamGroup T-Force Dark Zα 4000 MHz CL18. Sprawdzamy co potrafią kości SK Hynix

Samsung pochwalił się, że jest na razie jedynym producentem półprzewodników, który stworzył tak pojemną pamięć DDR5 z wykorzystaniem nowoczesnej technologii HKMG. W „upakowaniu” nowych kości wykorzystano technikę TSV (ang. Through Silicon Via). Pojedynczy stos kości DDR5 Samsunga składa się z ośmiu warstw 16 Gb DRAM (2 GB), a więc pamięć 512 GB liczy w sumie 32 stosy o pojemności 16 GB. Z kolei wykorzystanie procesu technologicznego HKMG pozwoliło obniżyć napięcie i zużycie energii o 13% przy jednoczesnym wzroście prędkości nawet do 7200 Mb/s, co jest, jak pochwalił się Samsung, ponad dwukrotnością tego, co oferują pamięci DDR4.

Samsung opracował pierwszą pamięć DDR5 o zawrotnej pojemności 512 GB. Jest ponad dwukrotnie wydajniejsza od DDR4 [2]

Testy procesora Intel Alder Lake z pamięciami DDR4 i DDR5. Nowa platforma przyniesie sporo ważnych zmian i technologii

Samsung rozpoczął wysyłanie różnych wariantów pamięci DDR5 o rekordowej pojemności do pierwszych klientów biznesowych zajmujących się analityką, rozbudowaną siecią i zaawansowanymi obliczeniami z wykorzystaniem m.in. sztucznej inteligencji (AI), uczenia maszynowego (ML) i superkomputerów eksaskalowych. Na uruchomienie sprzedaży musimy jeszcze poczekać, wpierw poprzedzą ją testy weryfikacyjne i ostateczna certyfikacja. Niestety, nie znamy jeszcze przewidywanej terminu premiery pamięci DDR5 o pojemności 512 GB, które pozwolą w układach obsługujących osiem kanałów zapewnić pojemność do 8 TB DDR5 (np. w serwerach), dwa razy więcej niż dotychczas. Przypominamy, że pod koniec 2021 roku ma trafić do sprzedaży platforma Intel Alder Lake-S, która obsłuży DDR5. 

Samsung opracował pierwszą pamięć DDR5 o zawrotnej pojemności 512 GB. Jest ponad dwukrotnie wydajniejsza od DDR4 [3]

Źródło: Samsung
Bądź na bieżąco - obserwuj PurePC.pl na Google News
Zgłoś błąd
Liczba komentarzy: 37

Komentarze:

x Wydawca serwisu PurePC.pl informuje, że na swoich stronach www stosuje pliki cookies (tzw. ciasteczka). Kliknij zgadzam się, aby ta informacja nie pojawiała się więcej. Kliknij polityka cookies, aby dowiedzieć się więcej, w tym jak zarządzać plikami cookies za pośrednictwem swojej przeglądarki.