Pierwsze 96-warstwowe pamięci 3D NAND do smartfonów
Wideo w jakości 4K, duże pliki zdjęciowe czy filmowe, Sztuczna Inteligencja, nowe czujniki - smartfony rozwijają się w niezwykłym tempie. Żeby utrzymać wysoką wydajność takiego urządzenia potrzebne są wysokiej jakości podzespoły. I dotyczy to praktycznie każdego elementu w tym oczywiście także pamięci masowych. Nowy dysk Western iNAND MC EU321 EFD wykorzystuje 96-warstwową technologię półprzewodnikowych kości pamięci 3D NAND, zaawansowane możliwości interfejsu UFS 2.1 i architekturę iNAND SmartSLC 5.1 co zapewnia mu z pewnością wyjątkową wydajność danych. Jest to pierwszy na świecie 96-warstwowy układ wbudowanej pamięci flash 3D NAND.
Western Digital rozesłał nowe układy do producentów sprzętu w celu przetestowania w prototypach nadchodzących urządzeń mobilnych.
iNAND MC EU321 EFD ma zapewniać wyjątkową wydajność danych dla smartfonów, tabletów i komputerów przenośnych, nawet gdy dysk urządzenia zbliża się do pełnej pojemności. To ważna deklaracja bo jak wiemy dyski po zapełnieniu w dużej części danymi potrafią pracować wolniej. A to wpływa na wydajność całego urządzenia. Układ ma dodatkowo przyspieszać możliwości sztucznej inteligencji (AI), rzeczywistości rozszerzonej (AR ), fotografowanie w wysokiej rozdzielczości w smartfonie z wieloma aparatami, przechwytywanie wideo 4K. Wszystkie te aplikacje wymagają dużej ilości danych, większej przepustowości i szybkości, aby zapewnić bezproblemową wydajność, której klienci oczekują od swoich urządzeń mobilnych".
Statystyki awaryjności dysków talerzowych w Q2 2018
Według danych Counterpoint Research, średnie pojemności pamięci flash NAND będą rosły na poziomie 28 procent w latach 2017-2021. Tymczasem średnia pojemność pamięci w smartfonach sprzedanych w pierwszej połowie tego roku była o 40 procent większa niż w smartfonach w roku 2017. "Urządzenia mobilne stały się centrum naszego codziennego życia. Ponieważ nowe możliwości w zakresie prędkości 5G, wideo 4K, AR i VR pokazują do czego zdolne są smartfony, tablety i notebooki" - powiedział Oded Sagee, dyrektor marketingu Western Digital. "Nasza technologia 3D NAND umożliwia wykorzystanie większej pojemności pamięci masowej w celu zaspokojenia potrzeb technologicznych użytkownika w całym cyklu życia smartfonów. Ponadto, gdy wydajność urządzenia z tradycyjną architekturą pamięci masowej zwykle zwalnia w miarę zbliżania się do zapełnienia, urządzenie Western Digital iNAND MC EU321 EFD jest specjalnie zaprojektowane, aby utrzymać wysoką wydajność.
Powiązane publikacje

Elon Musk i Steve Wozniak apelują o czasowe wstrzymanie prac nad rozwojem sztucznej inteligencji. Skąd takie stanowisko?
67
Apple ma stonowane oczekiwania odnośnie zysków ze sprzedaży swojego zestawu do rzeczywistości rozszerzonej
16
Bill Gates publikuje przemyślenia o sztucznej inteligencji i jej przyszłości. Twierdzi, że rozpoczęła się era AI
64
Gordon Moore zmarł w wieku 94 lat. Współzałożyciel Intela wniósł do branży technologicznej niezapomniany wkład
26