Zgłoś błąd
X
Zanim wyślesz zgłoszenie, upewnij się że przyczyną problemów nie jest dodatek blokujący reklamy.
Błędy w spisie treści artykułu zgłaszaj jako "błąd w TREŚCI".
Typ zgłoszenia
Treść zgłoszenia
Twój email (opcjonalnie)
Nie wypełniaj tego pola
.
Załóż konto
EnglishDeutschукраїнськийFrançaisEspañol中国

Pierwsze 96-warstwowe pamięci 3D NAND do smartfonów

Bogdan Stech | 11-10-2018 20:00 |

Pierwsze 96-warstwowe pamięci 3D NAND do smartfonów Wideo w jakości 4K, duże pliki zdjęciowe czy filmowe, Sztuczna Inteligencja, nowe czujniki - smartfony rozwijają się w niezwykłym tempie. Żeby utrzymać wysoką wydajność takiego urządzenia potrzebne są wysokiej jakości podzespoły. I dotyczy to praktycznie każdego elementu w tym oczywiście także pamięci masowych. Nowy dysk Western iNAND MC EU321 EFD wykorzystuje 96-warstwową technologię półprzewodnikowych kości pamięci 3D NAND, zaawansowane możliwości interfejsu UFS 2.1 i architekturę iNAND SmartSLC 5.1 co zapewnia mu z pewnością wyjątkową wydajność danych. Jest to pierwszy na świecie 96-warstwowy układ wbudowanej pamięci flash 3D NAND.

Western Digital rozesłał nowe układy do producentów sprzętu w celu przetestowania w prototypach nadchodzących urządzeń mobilnych.

Pierwsze 96-warstwowe pamięci 3D NAND do smartfonów  [1]

iNAND MC EU321 EFD ma zapewniać wyjątkową wydajność danych dla smartfonów, tabletów i komputerów przenośnych, nawet gdy dysk urządzenia zbliża się do pełnej pojemności. To ważna deklaracja bo jak wiemy dyski po zapełnieniu w dużej części danymi potrafią pracować wolniej. A to wpływa na wydajność całego urządzenia. Układ ma dodatkowo przyspieszać możliwości sztucznej inteligencji (AI), rzeczywistości rozszerzonej (AR ), fotografowanie w wysokiej rozdzielczości w smartfonie z wieloma aparatami, przechwytywanie wideo 4K. Wszystkie te aplikacje wymagają dużej ilości danych, większej przepustowości i szybkości, aby zapewnić bezproblemową wydajność, której klienci oczekują od swoich urządzeń mobilnych".

Statystyki awaryjności dysków talerzowych w Q2 2018

Pierwsze 96-warstwowe pamięci 3D NAND do smartfonów  [2]

Według danych Counterpoint Research, średnie pojemności pamięci flash NAND będą rosły na poziomie 28 procent w latach 2017-2021. Tymczasem średnia pojemność pamięci w smartfonach sprzedanych w pierwszej połowie tego roku była o 40 procent większa niż w smartfonach w roku 2017. "Urządzenia mobilne stały się centrum naszego codziennego życia. Ponieważ nowe możliwości w zakresie prędkości 5G, wideo 4K, AR i VR pokazują do czego zdolne są smartfony, tablety i notebooki" - powiedział Oded Sagee, dyrektor marketingu Western Digital. "Nasza technologia 3D NAND umożliwia wykorzystanie większej pojemności pamięci masowej w celu zaspokojenia potrzeb technologicznych użytkownika w całym cyklu życia smartfonów. Ponadto, gdy wydajność urządzenia z tradycyjną architekturą pamięci masowej zwykle zwalnia w miarę zbliżania się do zapełnienia, urządzenie Western Digital iNAND MC EU321 EFD jest specjalnie zaprojektowane, aby utrzymać wysoką wydajność.

Źródło: WDC
Bądź na bieżąco - obserwuj PurePC.pl na Google News
Zgłoś błąd
Liczba komentarzy: 9

Komentarze:

x Wydawca serwisu PurePC.pl informuje, że na swoich stronach www stosuje pliki cookies (tzw. ciasteczka). Kliknij zgadzam się, aby ta informacja nie pojawiała się więcej. Kliknij polityka cookies, aby dowiedzieć się więcej, w tym jak zarządzać plikami cookies za pośrednictwem swojej przeglądarki.