Samsung opracował pierwsze na świecie pamięci LPDDR5
Premiery najciekawszych smartfonów roku są już raczej za nami, aczkolwiek nie możemy zapominać, że na debiut czekają jeszcze tegoroczne Apple iPhone'y oraz Samsung Galaxy Note 9. O ile jednak firma z Cupertino może nas jeszcze czymś zaskoczyć, tak nadchodząca generacja Note'a raczej nie sprezentuje nam fajerwerków. Jeśli chodzi o Koreańczyków, znacznie ciekawiej zapowiada się niezapowiedziany jeszcze Galaxy S10, który ma zostać wyposażony w szereg nowych technologii. Właśnie poznaliśmy jedną z nich -
zaprezentowano właśnie pierwsze na świecie kości pamięci typu LPDDR5, które zapewniają znacznie lepsze parametry niż poprzednia generacji. Czym konkretnie cechują się nowe moduły?
Jak na razie Samsung ogłosił tylko, że zakończył proces testów oraz walidacji pamięci. Żadnych konkretnych terminów w sprawie rozpoczęcia masowej produkcji niestety nie podano.
Pamięci zostały opracowane w procesie technologicznym 10 nm, mają one pojemność 8 Gb (1 GB) i pracują z napięciem 1,1 V. Szybkość transmisji danych najszybszych sztuk szacuje się na ok. 6400 Mb/s. Przygotowano także mniej wydajny wariant pamięci, który może osiągać ok. 5500 Mb/s przy odpowiednio niższym napięciu 1,05 V. Dla porównania, pamięci LPDDR4X występujące w smartfonach obecnej generacji oferują transfery na poziomie "tylko" 4266 Mb/s. Cóż, wystarczy tylko rzut oka na niniejszą specyfikację LPDDR5 i od razu widać, że mamy do czynienia z niemałym przełomem.
Samsung wkrótce ruszy z produkcją pamięci LPDDR5 i UFS 3.0
Samsung Exynos 9820 - znamy szczegóły procesora Galaxy S10
Niższe napięcie nowych pamięci pozwoli oczywiście na zmniejszenie zapotrzebowania urządzenia na energię. Warto tutaj zaznaczyć, że dodatkowo udoskonalono tryb głębokiego uśpienia, który ma obniżać pobór mocy LPDDR5 nawet o połowę względem LPDDR4X. Sumarycznie pobór mocy powinien być o 30% niższy. Nowe pamięci oprócz podstawowych zadań będą miały także za zadanie obsłużyć np. sztuczną inteligencję oraz sieć 5G. Jak na razie Samsung ogłosił tylko, że zakończył proces testów oraz walidacji pamięci, zaś niebawem w Pyeongtaek (gdzie mają powstawać także DDR5 i GDDR6) ma ruszyć masowa produkcja kości zgodnych z wymaganiami klientów. Żadnych konkretnych terminów niestety nie podano.
Powiązane publikacje

G.SKILL przedstawia pierwszy na świecie zestaw pamięci RAM DDR5 o pojemności 256 GB. Idealny dla procesorów AMD Ryzen
22
Samsung i Micron rywalizują o dominację na rynku pamięci HBM3E. Kto zdobędzie przewagę w erze AI?
3
Ferroelectric Memory wraz z Neumonda podejmują wysiłek komercjalizacji pamięci DRAM+, łączącej zalety SSD i RAM
35
V-Color ustanawia nowy rekord świata w podkręcaniu pamięci DDR5. Osiągnięto oszałamiającą prędkość transferów
16