.
Załóż konto
EnglishDeutschРусскийFrançaisEspañol中国

Hynix i Toshiba pracują nad pamięciami MRAM

kaczy1217 | 13-07-2011 19:34 |

Firmy Hynix oraz Toshiba ogłosiły dzisiaj, iż rozpoczęły współpracę nad nową generacją pamięci operacyjnych MRAM (Magnetoresistance Random Access Memory). Wraz z zakończeniem procesu opracowywania i wdrażania technologii, firmy zamierzają współpracować przy produkcji MRAM jako spółka joint-venture. Kolejna generacja pamięci operacyjnej będzie ultra-szybka, ale przy tym bardzo energooszczędna i co jest zupełną nowością - nieulotna, charakteryzować się będzie również wysoką gęstością. Firmy Hynix i Toshiba pragną dołożyć wszelkich starań, aby zminimalizować ryzyko niepowodzenia i przyspieszyć tempo komercjalizacji MRAM. Obaj producenci wierzą, że ich przedsięwzięcie ma ogromny potencjał i nowe układy sprawdzą się jako wysoce skalowalna pamięć stała. Celem firm jest również zintegrowanie wszelkich rozwiązań pamięci masowych, w tym MRAM, NAND oraz HDD.

MRAM - jest rodzajem nieulotnej pamięci RAM; element przechowujący informacje zbudowany jest z trzech warstw: miękkiej ferromagnetycznej, niemagnetycznej bariery tunelowej, twardej warstwy ferromagnetycznej, a także z oplotu przewodnika. Operacja zapisu polega na przemagnesowaniu miękkiego materiału magnetycznego przez płynący prąd, co powoduje zmianę rezystancji złącza. Odczyt informacji polega na pomiarze rezystancji danego elementu przechowującego informacje.

Źródło: TechPowerUp / Wikipedia

Twoja ocena publikacji:
0
Liczba komentarzy: 5

Komentarze:

x Wydawca serwisu PurePC.pl informuje, że na swoich stronach www stosuje pliki cookies (tzw. ciasteczka). Kliknij zgadzam się, aby ta informacja nie pojawiała się więcej. Kliknij polityka cookies, aby dowiedzieć się więcej, w tym jak zarządzać plikami cookies za pośrednictwem swojej przeglądarki.