Hynix i Toshiba pracują nad pamięciami MRAM

Firmy Hynix oraz Toshiba ogłosiły dzisiaj, iż rozpoczęły współpracę nad nową generacją pamięci operacyjnych MRAM (Magnetoresistance Random Access Memory). Wraz z zakończeniem procesu opracowywania i wdrażania technologii, firmy zamierzają współpracować przy produkcji MRAM jako spółka joint-venture. Kolejna generacja pamięci operacyjnej będzie ultra-szybka, ale przy tym bardzo energooszczędna i co jest zupełną nowością - nieulotna, charakteryzować się będzie również wysoką gęstością. Firmy Hynix i Toshiba pragną dołożyć wszelkich starań, aby zminimalizować ryzyko niepowodzenia i przyspieszyć tempo komercjalizacji MRAM. Obaj producenci wierzą, że ich przedsięwzięcie ma ogromny potencjał i nowe układy sprawdzą się jako wysoce skalowalna pamięć stała. Celem firm jest również zintegrowanie wszelkich rozwiązań pamięci masowych, w tym MRAM, NAND oraz HDD.

MRAM - jest rodzajem nieulotnej pamięci RAM; element przechowujący informacje zbudowany jest z trzech warstw: miękkiej ferromagnetycznej, niemagnetycznej bariery tunelowej, twardej warstwy ferromagnetycznej, a także z oplotu przewodnika. Operacja zapisu polega na przemagnesowaniu miękkiego materiału magnetycznego przez płynący prąd, co powoduje zmianę rezystancji złącza. Odczyt informacji polega na pomiarze rezystancji danego elementu przechowującego informacje.

Źródło: TechPowerUp / Wikipedia