Samsung SSD 960 EVO i Samsung SSD 960 PRO - Specyfikacja i ceny

Mija dokładnie rok odkąd opublikowaliśmy pierwsze testy dysków Samsung SSD 950 PRO M.2 PCI-E 3.0 x4, które otworzyły nowy rozdział w historii pamięci masowych, wprowadzając szereg innowacyjnych rozwiązań technologicznych m.in. moduły 3D V-NAND MLC. Dzisiaj koreański producent oficjalnie zaprezentował ich następców, czyli Samsunga 960 PRO, jak również tańszą odmianę w postaci Samsunga SSD 960 EVO. Wszystko odbyło się podczas konferencji SSD Global Summit 2016, gdzie zostaliśmy zaproszeni mogąc na żywo przekazać Wam najświeższe informacje dotyczące tych urządzeń. Obydwa zapowiadają się ciekawie, kontynuując wcześniej zapoczątkowaną ścieżkę rozwoju dla półprzewodników, zatem mamy do czynienia z konsekwentną ewolucją.

Podczas konferencji Samsung SSD Global Summit 2016, producent pokazał dwa nowe nośniki - SSD 960 PRO i SSD 960 EVO z 48 warstwowymi pamięciami 3D V-NAND MLC. Poznaliśmy również ich wydajność i ceny.

Sercem nośników jest kontroler o nazwie Polaris, którego wnętrze skrywa pięć rdzeni bazujących na architekturze ARM, podczas gdy poprzednik zadowalał się trzema rdzeniami. Nowy układ sterujący wprowadza także wsparcie dla protokołu NVMe 1.2, któremu dedykowany jest specjalny sterownik Samsunga, acz najważniejszą innowacją okazuje się wykorzystanie pamięci 3D V-NAND MLC trzeciej generacji. Różnica względem modułów znanych z Samsunga SSD 950 PRO, polega przede wszystkim na ilości warstw z jakich zostały złożone - wcześniej 32, teraz 48. Jak to działa? Ładunek elektryczny przechowywany jest w warstwie izolacyjnej wykonanej z azotku krzemu (SiN), zamiast przewodnikowej podatnej na interferencję z innymi komórkami. Najogólniej rzecz ujmując, poprawia to wytrzymałość oraz efektywność energetyczną, zmniejszając zarazem objętość chipów NAND. Samsung dumnie określa swoje 3D V-NAND jako „nowe MLC”, chwaląc się wysoką żywotnością takich kości.

Samsung SSD Global Summit 2016 - Relacja na żywo z Korei

Samsung SSD 960 PRO (3D V-NAND MLC) będzie występował tylko w wariantach 512 GB, 1 TB oraz 2 TB, więc producent definitywnie kończy z małymi pojemnościami. Zapis sekwencyjny sięgać będzie 2100 MB/s, natomiast odczyt 3500 MB/s przy współczynnikach IOPS wynoszących kolejno 360,000/440,000. Samsung SSD 960 EVO (3D V-NAND 3-bit MLC) jako słabsza odmiana będzie dostępny w rozmiarach 250 GB, 500 GB oraz 1 TB, aczkolwiek pod względem specyfikacji niewiele ustępuje szybszemu bratu. W końcu zapis sekwencyjny na poziomie 1900 MB/s oraz odczyt 3200 MB/s przy 360,000/380,000 IOPS trudno nazwać niesatysfakcjonującym, zwłaszcza jeśli spojrzymy na deklarowane osiągi Samsunga 950 PRO 512 GB. Poprzednik osiągał bowiem 1500/2500 MB/s, zatem skok wydajności jest naprawdę znaczący. Jednocześnie polepszono też delikatnie energooszczędność nowych konstrukcji, których pobór mocy spadł o około 10% względem poprzedników. Dodatkowo dyski wspierają technologię Intelligent TurboWrite przyspieszającą transfery sekwencyjne, dzięki superszybkiemu buforowi SLC jakiego przydzielono teraz kilkukrotnie więcej.

Producent zadbał również o kwestie kultury pracy, ponieważ Samsung SSD 950 PRO potrafił się mocno nagrzewać, zwłaszcza gdy gniazdo M.2 było umieszczone bezpośrednio pod kartą graficzną. Problem rozwiązano poprzez dodanie jednej warstwy rozpraszającej ciepło, wkomponowanej w strukturę modułów pamięci. Jeśli chodzi o warunki gwarancji, to Samsung SSD 960 PRO objęto pięcioletnim parasolem ochronnym z limitem TBW wynoszącym kolejno 400 TB (512 GB), 800 TB (1 TB) oraz 1200 TB (2 TB). Natomiast Samsung SSD 960 EVO otrzyma trzyletni serwis z ograniczeniem zapisów do 100 TB (250 GB), 200 TB (500 GB) i 400 TB (1 TB). Ceny kształtują się następująco dla Samsung SSD 960 PRO - 329 USD, 629 USD oraz 1299 USD, podczas gdy za Samsung SSD 960 EVO trzeba zapłacić 129 USD, 249 USD lub 479 USD. Wszystkie będą zamknięte w obudowach M2. 2280 z interfejsem PCI-E 3.0 x4. Premiera nośników została zaplanowana na początek października, sample już zamówiliśmy...

Samsung SSD 950 Pro M.2. Test superszybkiego dysku PCI-E NVMe

PS: Swoją drogą, chociaż nie zostało to szczegółowo wyjaśnione, kości 3D V-NAND 3-bit MLC, czyli zapisujące trzy bity informacji w każdej komórce pamięci, to praktycznie 3D V-NAND TLC. Takie nazewnictwo modułów jest jednak dopuszczalne, ponieważ TLC często określane jest w literaturze fachowej mianem trzy stanowego MLC. Mimo wszystko, zabawa słowem budzi mieszane odczucia.