.
Załóż konto
EnglishDeutschРусскийFrançaisEspañol中国
  

Samsung Electronics uruchamia produkcję pamięci eUFS 512 GB

Samsung Electronics uruchamia produkcję pamięci eUFS 512 GBDo konstrukcji pamięci embedded Universal Flash Storage wykorzystywane będą 64-warstwowe moduły Samsung V-NAND o łącznej pojemności 512 GB. W nowych pamięciach masowych eUFS połączono 8 układów scalonych oraz zintegrowany kontroler pamięci. Obecnie stosowana, 64-warstwowa technologia, umożliwia umieszczenie pamięci o dwukrotnie większej pojemności na tej samej przestrzeni, w stosunku do uprzednio stosowanych 48-warstwowych układów V-NAND. Nowe urządzenia z wbudowaną pamięcią o pojemności 512 GB mogą pojawić się na rynku już w przyszłym roku, we flagowych modelach smartfonów oraz tabletów m.in. Samsungu S9.

Pojemność i wydajność nowych pamięci eUFS umożliwi swobodne rejestrowanie i przechowywanie filmów 4K UHD.

Samsung Electronics uruchamia produkcję pamięci eUFS 512 GB [2]

Taka pojemność wbudowanej pamięci umożliwi przyszłym urządzeniom mobilnym składowanie większej ilości materiałów wideo nagrywanych w rozdzielczości 4K Ultra HD (3840x2160 pikesli). Na 512-gigabajtowym nośniku zmieści się nawet ponad setka 10-minutowych filmów, osiem razy więcej niż w popularnych modelach smartfonów, wyposażonych w 64 GB wbudowanej pamięci. Samsung wykorzystuje w nowych układach zmodernizowane zarządzanie energią, co ma wpłynąć na mniejsze zużycie prądu niż wynikałoby to z dwukrotnie większej liczbie komórek pamięci (w stosunku do dotychczasowych rozwiązań). Usprawniony kontroler pamięci ma też zapewnić szybszy proces konwersji adresów bloków logicznych na bloki fizyczne.

Samsung planuje chłodzić topowe smartfony komorą parową

Samsung Electronics uruchamia produkcję pamięci eUFS 512 GB [1]

Sekwencyjny odczyt danych z nowych pamięci ma w 512-gigabajtowych układach osiągać do 860 MB/s, zapis: 255 MB/s, co w przypadku 5 GB pliku oznacza skopiowanie go w ok. 6 sekund, 8 razy szybciej niż w przypadku typowych kart microSD. Operacje odczytu i zapisu losowych komórek pamięci mają odbywać się odpowiednio z szybkością 42 000 IOPS i 40 000 IOPS, 400 razy szybciej niż w przypadku standardowych kart microSD, według informacji Samsunga. Takie rozwiązanie przyczyni się do większej wygody obsługi urządzeń, w które zostanie wybudowany nowy układ pamięci, m.in. płynnego odtwarzania filmów z równoległym wykonywaniem innych operacji, wymagających błyskawicznego dostępu do pamięci.

Samsung gotowy do produkcji układów w litografii 8 nm LPP

Źródło: Samsung Newsroom
Twoja ocena publikacji:
92
Liczba komentarzy: 15

Komentarze:

x Wydawca serwisu PurePC.pl informuje, że na swoich stronach www stosuje pliki cookies (tzw. ciasteczka). Kliknij zgadzam się, aby ta informacja nie pojawiała się więcej. Kliknij polityka cookies, aby dowiedzieć się więcej, w tym jak zarządzać plikami cookies za pośrednictwem swojej przeglądarki.