Zgłoś błąd

X

Zanim wyślesz zgłoszenie, upewnij się że przyczyną problemów nie jest dodatek blokujący reklamy.

Typ zgłoszenia
Treść zgłoszenia
Twój email (opcjonalnie)
Nie wypełniaj tego pola
.
Załóż konto
EnglishDeutschРусскийFrançaisEspañol中国

Intel i Micron rozpoczynają produkcję następcy pamięci NAND Flash

Firmy Intel Corporation oraz Micron Technology wdrażają nową technologię pamięci nieulotnej - 3D Xpoint - która może zrewolucjonizować urządzenia korzystające z szybkiego dostępu do dużych pakietów danych. Rozwiązanie będące obecnie na etapie produkcji może okazać się długo wyczekiwanym przełomem w technologii wytwarzania pamięci od momentu wprowadzenia flash NAND w 1989 roku. Charakterystyka 3D XPoint jest naprawdę imponująca, bowiem producent zapewnia, iż będzie do 1000 razy szybsza i 1000 razy trwalsza od NAND, cechując się dodatkowo 10-krotnie większym upakowaniem od konwencjonalnej pamięci. mTechnologia 3D XPoint została zbudowana od zera jako odpowiedź na potrzebę nieulotnego, wysokowydajnego, bardzo trwałego i pojemnego rozwiązania magazynującego i pamięciowego w (podobno) przystępnej cenie.

Charakterystyka 3D XPoint jest naprawdę imponująca, bowiem producent zapewnia, iż będzie do 1000 razy szybsza i 1000 razy trwalsza od NAND.

Prace badawczo-naukowe trwały ponad dekadę, a samo 3D XPoint znacznie zmniejsza opóźnienia, pozwalając na przechowywanie większej liczby danych blisko procesora i dostęp do nich z prędkościami dotychczas niemożliwymi do uzyskania w magazynach nieulotnych. Nowatorska, beztranzystorowa architektura krzyżowa tworzy trójwymiarową szachownicę, w której komórki pamięci znajdują się na przecięciu linii słów z liniami bitów, przez co komórki mogą być indywidualnie adresowane. W efekcie dane można zapisywać i odczytywać w małych porcjach, co prowadzi do szybszych i efektywniejszych procesów odczytu/zapisu. Poniżej znajdziecie więcej informacji na temat technologii 3D XPoint:

  • Krzyżowa struktura macierzowa - prostopadłe przewodniki łączą 128 mld gęsto upakowanych komórek pamięci, a każda przechowuje jeden bit danych.
  • Stosy - oprócz krzyżowej struktury macierzowej, komórki pamięci rozmieszczone są na wielu warstwach. Pierwsze wcielenie technologii przechowuje 128 Gb na płytce z dwoma warstwami.
  • Selektor - dostęp do komórek pamięci i ich zapis lub odczyt odbywa się przez zmianę napięcia przekazywanego do każdego selektora. Eliminuje to konieczność stosowania tranzystorów, a więc zwiększa pojemność przy jednoczesnej redukcji kosztów.
  • Komórka o szybkim przełączaniu - przy małym rozmiarze komórki, szybko przełączającym się selektorze, matrycy krzyżowej o niskim opóźnieniu i szybkim algorytmie zapisu komórka może zmieniać stany szybciej niż w jakiejkolwiek dzisiejszej technologii pamięci nieulotnej.

Technologia 3D XPoint będzie dostępna w postaci próbek w późniejszej części tego roku, a Intel i Micron już opracowują produkty oparte na tym rozwiązaniu. Wydajnościowe zalety technologii 3D XPoint mogą też ulepszyć użytkowanie komputerów PC, pozwalając nabywcom cieszyć się szybszymi interaktywnymi mediami społecznościowymi i wspólną pracą, a także bardziej wciągającymi doznaniami w grach. Nieulotna natura technologii powoduje, że jest idealnym wyborem do zastosowań magazynujących o niskich opóźnieniach, ponieważ dane nie są kasowane po wyłączeniu zasilania urządzenia.

Źródło: Intel
39
Zgłoś błąd
Sebastian Oktaba
Liczba komentarzy: 11

Komentarze:

x Wydawca serwisu PurePC.pl informuje, że na swoich stronach www stosuje pliki cookies (tzw. ciasteczka). Kliknij zgadzam się, aby ta informacja nie pojawiała się więcej. Kliknij polityka cookies, aby dowiedzieć się więcej, w tym jak zarządzać plikami cookies za pośrednictwem swojej przeglądarki.