Intel i Micron prezentują 20 nm pamięci NAND flash

Firmy Intel Corporation i Micron Technology przedstawiły dziś nowy, 20-nanometrowy proces technologiczny produkcji pamięci NAND flash. Rosnąca ilość przechowywanych danych oraz nowe funkcje tabletów i smartfonów nakładają nowe wymagania na technologię NAND flash, zwłaszcza w zakresie oferowania wyższych pojemności w mniejszych układach. Nowe 20-nanometrowe urządzenie o pojemności 8 GB mierzy zaledwie 118mm2 i ogranicza zajmowaną przestrzeń na płytce drukowanej od 30 do 40 procent (w zależności od typu obudowy) w porównaniu z istniejącym, 25-nanometrowym urządzeniem NAND 8 GB firm Intel i Micron. Zmniejszenie rozmiarów pamięci flash zapewnia większą elastyczność, ponieważ pozwala producentom tabletów i smartfonów wykorzystać dodatkową przestrzeń do ulepszenia produktu, na przykład przez dodanie większej baterii, większego ekranu albo kolejnego układu do obsługi nowych funkcji.

Nowe urządzenie 20 nm 8 GB, wytwarzane przez IM Flash Technologies (IMFT), spółkę firm Intel i Micron, jest przełomem w technologii produkcji NAND i umacnia obie firmy na wiodącej pozycji w dziedzinie litografii. Nowa pamięć 20-nanometrowa cechuje się podobną wydajnością i wytrzymałością, co poprzednia, 25nm generacja technologii NAND.

Próbki urządzenia 20 nm 8GB są już dostępne, a jego masowa produkcja ma się rozpocząć w drugiej połowie 2011 r. Intel i Micron oczekują, że zaprezentują wówczas próbki urządzenia 16-gigabajtowego, które pozwoli stworzyć pojedyncze, 128-gigabajtowe pamięci półprzewodnikowe mniejsze od typowego znaczka pocztowego.

Źródło: Informacje Prasowe / Intel