.
Załóż konto
EnglishDeutschРусскийFrançaisEspañol中国

SK hynix wprowadza 96-warstwowe kości pamięci flash NAND

Bogdan Stech | 07-11-2018 14:00 |

SK hynix wprowadza 96-warstwowe kości pamięci flash NANDSK Hynix wprowadził na rynek pierwsze na świecie 96-warstwowe kości pamięci flash 4D NAND o pojemności 512 Gb oparte jednak o rozwiązanie 3D TLC (Triple-Level Cell). Wielu komentatorów uważa, że jest to więc jedynie chwyt marketingowy, a nie prawdziwy układ 4D. Być może jednak uda się w tym przypadku połączyć dobre parametry z niską ceną. Choć tej jeszcze nie znamy, nie ulega wątpliwości, że Hynix dołączył do elitarnego grona firm, które mają w ofercie takie zaawansowane rozwiązania. Produkcja pierwszych nośników przeznaczonych na rynek konsumenckich ma się rozpocząć jeszcze w tym roku. Firma zapowiedziała także, że przedstawi w drugiej połowie 2019 roku nowe dyski dla firm.

Nowy układ 4D NAND jest o ponad 30 procent mniejszy i zwiększył produktywność bita na wafel o 49 procent

Hynix wprowadza 96-warstwowe kości pamięci flash NAND [1]

Stosując technologię 3D CTF (Charge Trap Flash) w połączeniu z technologią PUC (Periphery Under Cell) SK Hynix chwali się, że połączył 3D CTF z PUC po raz pierwszy w branży. W rezultacie uzyskał bardzo dobrą wydajność. Firma nazwała produkt 4D NAND oparty na CTF, aby odróżnić go od obecnych technologii pamięci flash 3D NAND i układów z bramką pływającą. Obwody są w nim umieszczone pod komórkami flash, stąd nazwa PUC (Periphery Under Cell), aby zmaksymalizować efektywność przestrzeni. Inne firmy stosują podobną technologię. Micron ma CMOS Under the Array (CUA), a Samsung Core over Periphery. CFT różni się od bardziej konwencjonalnej technologii MOSFET z pływającą bramką, ponieważ wykorzystuje azotek krzemu do przechowywania elektronów zamiast krzemu polikrystalicznego, typowego dla pływającej bramki, minimalizując przerwy między komórkami flash.

SK Hynix ogłasza dostępność 4-terabajtowych dysków SSD

Hynix wprowadza 96-warstwowe kości pamięci flash NAND [2]

Nowy układ 4D NAND jest o ponad 30 procent mniejszy i zwiększył produktywność bita na wafel o 49 procent w porównaniu z 72-warstwową kością 3D NAND tej samej firmy. Co więcej, układ ma 30 procent szybszy zapis i 25 procent wyższą wydajność odczytu. Ponadto jego przepustowość danych jest "podwojona do największego w branży wartości 64KB" - jak opisuje producent. Wraz z wprowadzeniem nowej architektury izolatorów bramki, prędkość danych I/O (Input Output) osiąga 1200 Mb/s przy napięciu 1,2 V. SK Hynix twierdzi, że nowe rozwiązanie 4D NAND trafi do masowej produkcji przed końcem roku. W oparciu o 96-warstwowe kości pamięci flash 4D NAND o pojemności 512 Gb, SK Hynix wprowadzi na rynek dyski SSD o pojemności 1 TB wyposażone w własne kontrolery i oprogramowanie firmowe.

Źródło: Hynix, Wiki
Twoja ocena publikacji:
10
Liczba komentarzy: 7

Komentarze:

x Wydawca serwisu PurePC.pl informuje, że na swoich stronach www stosuje pliki cookies (tzw. ciasteczka). Kliknij zgadzam się, aby ta informacja nie pojawiała się więcej. Kliknij polityka cookies, aby dowiedzieć się więcej, w tym jak zarządzać plikami cookies za pośrednictwem swojej przeglądarki.