Pamięci Flash w technologi 60 nanometra
Koreański koncern Samsung ogłosił wyprodukowanie 60-nanometrowych układów pamięci flash o pojemności 2 gigabitów, które oferują podwójnie szybsze czasy zapisu w porównaniu do poprzednich produktów firmy. Zapis danych w nowych układach odbywa się z prędkością 17 MB/s, chociaż producent przewiduje, że może się zwiększyć do 136MB/s, gdy połączonych zostanie osiem 2-gigabitowych chipów. Informacje na temat dostępności rynkowej nowych pamięci nie są na razie znane. Jak podają zaufani informatorzy konkurencja pracuje już nad pamięciami 4GB w technologii 60nm. Użytkownicy mogą już po mału zacierać ręce bo szykuje się ostra wojna o prym na rynku pamięci flash.
Powiązane publikacje

10 500 MB/s wystarczy? YMTC PC550 celuje tam, gdzie rywale z PCIe 5.0 boją się wejść i ma do tego dobry powód
25
Instytut imec i firma Atlas Data Storage opracowują układ 128 mln elektrod CMOS do zapisu danych w syntetycznym DNA
0
Seagate Mozaic 4+ z technologią HAMR i 44 TB trafia do centrów danych. Gęstość powierzchniowa bije konkurencję
37
Dyski HDD i SSD: ceny nośników na tle kryzysu RAM. Zestawienie na marzec 2026 z GOODRAM, Lexar, WD, Samsung, ADATA i Dahua
22













