Pamięci Flash w technologi 60 nanometra
Koreański koncern Samsung ogłosił wyprodukowanie 60-nanometrowych układów pamięci flash o pojemności 2 gigabitów, które oferują podwójnie szybsze czasy zapisu w porównaniu do poprzednich produktów firmy. Zapis danych w nowych układach odbywa się z prędkością 17 MB/s, chociaż producent przewiduje, że może się zwiększyć do 136MB/s, gdy połączonych zostanie osiem 2-gigabitowych chipów. Informacje na temat dostępności rynkowej nowych pamięci nie są na razie znane. Jak podają zaufani informatorzy konkurencja pracuje już nad pamięciami 4GB w technologii 60nm. Użytkownicy mogą już po mału zacierać ręce bo szykuje się ostra wojna o prym na rynku pamięci flash.
Powiązane publikacje

Corsair MP700 PRO XT - Firma prezentuje swój najwydajniejszy nośnik SSD, oparty na magistrali PCIe 5.0
16
Samsung P9 Express - karty microSD Express o pojemności do 512 GB, które oprócz Nintendo Switch 2 wspierają też sloty UHS-I
6
ADATA SR800 Magnetic Power Bank - premiera pierwszego na świecie hybrydowego nośnika SSD i powerbanku w jednym
7
Pendrive jak kredka świecowa? Nowa seria od Sandisk, która powstała w partnerstwie z marką Crayola
34













