Pamięci Flash w technologi 60 nanometra
Koreański koncern Samsung ogłosił wyprodukowanie 60-nanometrowych układów pamięci flash o pojemności 2 gigabitów, które oferują podwójnie szybsze czasy zapisu w porównaniu do poprzednich produktów firmy. Zapis danych w nowych układach odbywa się z prędkością 17 MB/s, chociaż producent przewiduje, że może się zwiększyć do 136MB/s, gdy połączonych zostanie osiem 2-gigabitowych chipów. Informacje na temat dostępności rynkowej nowych pamięci nie są na razie znane. Jak podają zaufani informatorzy konkurencja pracuje już nad pamięciami 4GB w technologii 60nm. Użytkownicy mogą już po mału zacierać ręce bo szykuje się ostra wojna o prym na rynku pamięci flash.
Powiązane publikacje

NEO Semiconductor pokazało 3D X-DRAM. To nie jest jeszcze pogromca HBM, ale pierwsze testy wyglądają ciekawie
6
Samsung oraz Kingston podnoszą ceny za dyski SSD. Szykują się kolejne podwyżki na skutek niedoborów pamięci NAND
69
ASUS ProArt PA40SU - stylowa obudowa na nośniki SSD z USB4 i aktywnym chłodzeniem. Opcja dla formatów 2230 i 2280
12
Nowy nośnik SK hynix PQC21 debiutuje w Dell Technologies. 321 warstw QLC NAND wchodzi do segmentu AI PC
7













