Pamięć HBM3 ma oferować większą gęstość i przepustowość

Dla wszystkich osób pilnie śledzących nowinki ze świata podzespołów komputerowych, skrótowiec HBM wywodzący się od High Bandwidth Memory, jest na pewno dobrze znany. Z pierwszą odsłoną tych pamięci do czynienia mieliśmy w kartach AMD Fury, Fury X i NANO, druga ma zostać niebawem wdrożona do najwydajniejszego produktu NVIDII - Tesla P100. Póki co, jest to jedyne oficjalnie potwierdzone urządzenie, które będzie wykorzystywać nową technologię. Później do tego grona prawdopodobnie dołącza karty graficzne AMD z rodziny Vega. Tymczasem dwie największe południowokoreańskie firmy - Samsung oraz SK Hynix - zapowiedziały w minionych dniach pamięci HBM3 oraz dodatkowo wariant budżetowy HBM, który ma trafić na rynek masowy.

Pamięci HBM trzeciej generacji mają oferować ponad dwa razy większą przepustowość oraz gęstość zapisu względem swojego poprzednika.

Zebrane dzisiaj informacje pochodzą z dwóch branżowych konferencji - Hot Chips zorganizowanej w dniach 21-23 sierpnia oraz wcześniejszej, czyli IDF 2016. Skupiały one największe firmy z całego świata, dane o pamięciach HBM wywodzą się jednak z wystąpień południowokoreańskich producentów takich jak Samsung oraz SK Hynix. Jak widać na poniższym slajdzie, druga z firm odkrywała karty raczej w sposób zdawkowy. Tak czy siak rozbudzając jednak naszą ciekawość. Jeśli zapewnienia okażą się prawdą będziemy mieli bowiem do czynienia z produktem dużo bardziej wydajnym od poprzednich generacji. Przede wszystkim obniżony ma zostać koszt produkcji oraz ich zapotrzebowanie na energię, mają zostać też bardziej spopularyzowane i znaleźć swoje miejsce w serwerach, superkomputerach, rozwiązaniach konsumenckich oraz oczywiście kartach graficznych dla graczy.

NVIDIA GP100 - szczegóły największego układu z rodziny Pascal

Samsung okazał się stroną, która dużo chętniej i obszerniej dzieliła się specyfikacją. Chociaż nadal pozostaje wiele niewiadomych, tak tabelki i wykresy prezentują się dużo okazalej i profesjonalniej. Co z nich wynika? Potwierdzenie znajdują informacje udzielone przez SK Hynix, dodatkowo szersze światło zostało rzucone na samą wydajność. HBM3 ma oferować ponad dwa razy większą przepustowość oraz gęstość zapisu - do 32GB, dodatkowo ułożenie w stosach również ma ulec poprawie. Jego wysokość będzie sięgać daleko poza obecne granice, które wynosiły do ośmiu warstw. Teoretyczna, papierowa premiera przewidywana jest na przełom 2019/2020 roku. Więcej szczegółów widocznych jest poniżej.

Samsung już pracuje nad pamięciami GDDR6, DDR5 i LPDDR5

Ostatnia z informacji nie dotyczy już trzeciej generacji wcześniej omawianych pamięci, jest jednak równie ciekawa. Mowa o "low cost HBM" czyli dużo tańszej alternatywie, skierowanej do masowego odbiorcy. Oczywiście obniżenie ceny nie może przyjść za darmo i niesie za sobą pewne poświęcenia. Ucierpią między innymi połączenia TSV oraz wielkość bufora. Jednak jak widać na jednym z udostępnionych slajdów LC HBM nie plasuje się wcale tak daleko w tyle za HBM2. Druga generacja pamięci oferuje przepustowość na poziomie 256 GB/s, tańszy wariant zaś około 200 GB/s. Teoretycznie różnica to tylko (aż?) 1/5 całkowitej wartości. Wynagradzać ma to jednak cena będąca ułamkiem tej, która dotyczy "pełnoprawnego" produktu. Pozwolić to ma na dotarcie do dużo szerszego grona odbiorców. Obie informacje są równie ciekawe, gdyż celują w dwa zupełnie różne segmenty. Zadowoleni powinni się czuć zarówno zwykli, przeciętni konsumenci jak i osoby poszukujące najwydajniejszych na rynku, profesjonalnych rozwiązań. Nie ma jednak co sztucznie nadmuchiwać bańki i lepiej poczekać do premiery. Wtedy ocenimy te "ułamki" cen oraz rzeczywistą dostępność.