Pamięć G.Skill Ripjaws 4 podkręcona do 4,8 GHz - Nowy rekord
Kilka godzin temu informowaliśmy Was o nowym rekordzie taktowania dla pamięci DDR4 - został on ustanowiony przez overclockera o pseudonimie Toppc, który do podkręcania wykorzystał najnowszą platformę Intel Skylake oraz płytę główną MSI. Okazuje się, że z takich rekordów należy cieszyć się bardzo szybko, bowiem za rogiem mogą już czaić się kolejni zawodnicy mogący zsunąć nasze osiągnięcie w cień. Na początku roku G.Skill w jednej z informacji prasowych chwalił się pobiciem rekordu dla standardu DDR4 na platformie Haswell-E, co zostało bardzo szybko sprostowane przez środowisko overclockerów - do potwierdzania rekordów potrzebny był oscyloskop o sporej dokładności i odpowiedniej skali, a przy wyniku G.Skilla takiego potwierdzenia nie uzyskaliśmy.
Czwartek dniem rekordów.
W przypadku platformy Intel Skylake nie możemy jeszcze mówić o podobnym zabiegu pozwalającym na "oszukanie" odbiorców, aczkolwiek overclockerzy badają sprawę i niewątpliwie za jakiś czas potwierdzą lub zdementują pierwsze plotki. Mamy zaszczyt ogłosić, że nowym rekordem dla pamięci DDR4 (o ile oczywiście sytuacja nie jest podobna jak w przypadku Haswell-E) zostaje wynik 4795 MHz osiągnięty na module G.Skill Ripjaws 4 o pojemności 4 GB. Opóźnienia podczas bicia rekordu wynosiły 21-31-31-63.
Warto wspomnieć, że tym razem wykorzystano jeden moduł, a zatem wynik ustanowiono na jednokanałowej pamięci. Pozostała część platformy składała się z procesora Intel Core i7-6700K (ES) z aktywnym jednym rdzeniem o taktowaniu 928 MHz i wyłączonym Hyper-Threading oraz płyty głównej ASRock Z170 OC Formula. Do chłodzenia procesora wykorzystano ciekły azot. Dopóki nie dowiemy się o konieczności potwierdzenia wyniku przy pomocy oscyloskopu, dopóty możemy nazywać osiągnięcie overclockera HKEPC jako rekord taktowania pamięci DDR4. Gratulujemy!
Powiązane publikacje

Pamięć ULTRARAM ma zielone światło. Partner QUINAS Technology opracował metodę, która otwiera furtkę do masowej produkcji
30
Nowa pamięć NAND flash od SK hynix wkracza do masowej produkcji. Udało się osiągnąć większą gęstość i nie tylko
19
SK hynix największym producentem pamięci DRAM. Samsung po raz pierwszy stracił pozycję lidera. Powód? NVIDIA
9
CXMT opóźnia masową produkcję pamięci DDR5 do końca 2025 roku z powodu problemów z jakością i wydajnością termiczną
7