Micron zapowiada pamięci GDDR5X z przepustowością do 16 Gb/s
Lata lecą, a pamięci GDDR5 jak gościły w naszych kartach graficznych, tak nadal będą pojawiały się w nowszych konstrukcjach. Jednak na szczęście w tej kwestii powoli coś się rusza - wydane dwa lata temu Radeony z rdzeniem Fiji posiadają już wielowarstwowe moduły HBM, natomiast topowe karty graficzne GeForce oparte na architekturze Pascal otrzymały kości GDDR5X, które - nieco upraszczając sprawę - są szybszymi wersjami popularnych GDDR5. Jak jednak pokazują najnowsze testy firmy Micron, kości mogą pracować z zawrotną przepustowością rzędu nawet 16 Gb/s, co może oznaczać, że pojawią się w towarzystwie nadchodzących układów graficznych. Również tych z najwyższej półki.
Udane testy z szybkimi kośćmi GDDR5X zwiastują rychłe nadejście jeszcze nowszego standardu, który de facto nie różni się zbyt wiele.
O tym, jak ważne jest to osiągnięcie najlepiej świadczą liczby. Pierwsze wyprodukowane kości typu GDDR5X, mogły pracować z szybkością 10 Gb/s i to właśnie one w pierwszej kolejności trafiły do kart graficznych GeForce GTX 1080. Po wielu miesiącach badań i testów Micron udoskonalił standard, uzyskując przepustowość 11, a nawet 12 Gb/s (Titan Xp posiada kości pracujące z szybkością 11,4 Gb/s), ale prawdziwy sukces można odtrąbić teraz, gdy udało się "wycisnąć" z modułów stabilne 16 Gb/s. Dowodem na osiągnięcie takiej szybkości transmisji danych niech będzie poniższa grafika, pokazująca, że pamięci rzeczywiście pracują poprawnie.
Micron chce wprowadzić pamięci GDDR6 jeszcze w tym roku
Taki rezultat to bardzo dobry prognostyk na przyszłość. Wpłynie on nie tylko na wydajność modułów, co powinniśmy odczuć dzięki przyszłym kartom graficznych, lecz również daje dobry znak w kwestii pamięci GDDR6, które są cały czas równolegle i - co ważne - bezproblemowo rozwijane. Udane testy z szybkimi kośćmi GDDR5X mogą jednak wyhamować nadejście nowszego standardu, który de facto nie różni się zbyt wiele od poprzednika - Micron wskazuje zwłaszcza na jego dwukanałową architekturę oraz budowę FBGA180. Pierwsze sztuki GDDR6 powinny być gotowe niebawem i będą pracować z przepustowością 12-14 Gb/s. Do deklarowanych 16 Gb/s najwydajniejszego modułu GDDR5X nieco brakuje, jednak z czasem wynik ten z pewnością zostanie znacznie poprawiony.
Powiązane publikacje

Micron zaprezentował proces technologiczny 1γ. Rozwiązanie jest już wykorzystywane do produkcji pamięci DDR5
24
Micron, Samsung i SK hynix przygotowują się do zakończenia produkcji pamięci DDR3 i DDR4 jeszcze w tym roku
24
NVIDIA i kilku producentów pamięci pracuje nad modułami SOCAMM. Rozwiązanie znajdzie zastosowanie w komputerach AI
20
Patriot świętuje 40-lecie na targach CES 2025 i prezentuje bardzo szybkie pamięci RAM DDR5 o prędkości 9600 MT/s
8