Micron rozpoczął masową produkcję modułów pamięci DDR4
Moduły pamięci DDR3 są z nami od 2007 roku, więc mamy do czynienia z najdłuższym okresem panowania jednego standardu RAM DDR na rynku pecetów i urządzeń mobilnych - pierwsza generacja wytrzymała dwa lata, a DDR2 ustąpiło obecnej wersji po trzech latach górowania nad innymi wariantami. Jeśli wszystko pójdzie zgodnie z planem, to najnowsza czwarta generacja standardu DDR zakończy aż ośmioletnie panowanie DDR3 na rynku - również i tym razem wprowadzanie nowych modułów pamięci rozpocznie się od platformy Intela, która ma zadebiutować jeszcze w tym roku razem z procesorami Haswell-E i EP. Aby przygotować się na premierę "Niebieskich" producenci kości powoli szykują się do uruchomienia linii produkcyjnych dla swoich modeli - jak się okazuje, firma Micron Technology będąca jednym z największych producentów pamięci na świecie ogłosiła rozpoczęcie masowej produkcji modułów DDR4 przeznaczonych głównie dla serwerowych procesorów Xeon E5-2600 v3 debiutujących w drugiej połowie 2014 roku.
Oczywiście nieco wcześniej zadebiutują także układy Haswell-E wspierające DDR4, jednak nie będą one głównym odbiorcą ze względu na niższą popularność. Nowe pamięci produkowane przez Microna będą zapewniały wydajność na poziomie 2133 MT/s, zaś pojedyncze kości w module zwiększą pojemność z 1 GB w DDR3 do 4 GB w DDR4. Jedną z zalet nowej generacji będzie także zmniejszenie poboru energii, jak również zredukowanie standardowego napięcia do 1,2 V z 1,5 V w DDR3.
Ośmioletnia dominacja modułów pamięci DDR3 będzie powoli odchodziła w zapomnienie.
Moduły o prędkości 2400 MT/s zadebiutują w 2015 roku zgodnie z rosnącymi potrzebami rynku. W przypadku AMD i procesorów APU spodziewamy się wprowadzenia platformy kompatybilnej z DDR4 w pierwszym kwartale 2015 roku - właśnie wtedy ma zadebiutować rodzina Carrizo, która jako pierwsza mogłaby wykorzystać zalety najnowszych modułów przy zintegrowanym układzie graficznym.


Źródło: KitGuru / Crucial
Powiązane publikacje

CXMT dostarcza Huawei próbki pamięci HBM3. Chiński gigant półprzewodników rzuca wyzwanie globalnym liderom
21
Samsung HBM4E to 13 Gbps na pin i 3,25 TB/s przepustowości. Specyfikacje pamięci siódmej generacji ujawnione
8
Crucial wprowadza pamięci LPCAMM2 8533 MT/s. Nowy standard dla laptopów łączy wydajność LPDDR5X z możliwością rozbudowy
27
Nowy rekord świata w overclockingu pamięci RAM DDR5, przebito kolejną barierę, osiągając prędkość 13 020 MT/s
5












