Micron: Pamięci GDDR6 mogą osiągnąć przepustowość 20 Gbps
Rynek kart graficznych popadł ostatnimi czasy w lekką stagnację. Utrzymująca się przez długi czas przepaść wydajnościowa między produktami największych graczy oraz boom na kryptowaluty i związane z nim zawirowania skutecznie odsunęły w czasie premierę nowej generacji. Wiemy jednak, że ta w końcu nastąpi, a wraz z nią zadebiutuje szereg nowych rozwiązań, które mogą przynieść istotny skok w dziedzinie wydajności. Jednym z nich są pamięci GDDR6, w które mają być wyposażone nowe karty graficzne od AMD i NVIDII, a które mają stanowić duży krok naprzód względem obecnie stosowanych GDDR5X. Jak duży? Micron chwali się, że przepustowość nowych pamięci może sięgać nawet 20 Gbps.
Micron udowodnił, że w pamięciach GDDR6 drzemie potencjał by osiągnąć przepustowość nawet 20 Gbps.
Micron za kilka miesięcy wprowadzi na rynek pamięci GDDR6
O potencjale drzemiącym w GDDR6 dowiadujemy się dzięki publikacji naukowej przygotowanej przez firmę Micron na potrzeby konferencji DesignCon 2018. Z artykułu dowiadujemy się, że w przypadku standardowej implementacji przepustowość nowych pamięci ma sięgać 16,5 Gbps. Takie rezultaty powinny być w zasięgu produktów, które trafią na rynek konsumencki, choć oczywiście należy zakładać, że to górna granica, a przynajmniej na początku przepustowości rzędu 14-16 Gbps będą na porządku dziennym. Nawet to będzie dużym krokiem naprzód, jeśli wziąć pod uwagę, że dostępne we współczesnych kartach graficznych GDDR5X w najlepszym wypadku osiągają jakieś 12 Gbps.
Micron zapowiada pamięci GDDR5X z przepustowością do 16 Gb/s
Po publikacji artykułu świat obiegła jednak znacznie ciekawsza informacja, że inżynierom firmy Micron dzięki podniesieniu napięcia udało się podkręcić pamięci GDDR6 tak, by osiągnęły przepustowość 20 Gbps. Cóż, jest to informacja prawdziwa... ale tylko częściowo. Podczas przeprowadzonych przez firmę testów rzeczywiście uzyskano taki rezultat, czego dowodem ma być widoczny na zdjęciu pomiar z oscyloskopu Uzyskano go jednak tylko dla pomiarów samego interfejsu I/O GDDR6. Z grubsza oznacza to tyle, że o ile same pamięci Microna nie są obecnie w stanie takich przepustowości osiągać, o tyle jest to w zasięgu dla technologii GDDR6. Zresztą wygląda na to, że być może takie wartości w gotowych produktach wcale nie nie są jakąś odległą perspektywą - w końcu Samsung pochwalił się już produkcją modułów osiągających 18 Gbps.
Powiązane publikacje

G.SKILL przedstawia pierwszy na świecie zestaw pamięci RAM DDR5 o pojemności 256 GB. Idealny dla procesorów AMD Ryzen
22
Samsung i Micron rywalizują o dominację na rynku pamięci HBM3E. Kto zdobędzie przewagę w erze AI?
3
Ferroelectric Memory wraz z Neumonda podejmują wysiłek komercjalizacji pamięci DRAM+, łączącej zalety SSD i RAM
35
V-Color ustanawia nowy rekord świata w podkręcaniu pamięci DDR5. Osiągnięto oszałamiającą prędkość transferów
16