Intel o procesie technologicznym 22 nm

W dniach 22-24 września odbywa się konferencja Intel Developer Forum w San Francisco. Paul Otellini, prezes i dyrektor generalny firmy Intel, zaprezentował dziś pierwsze na świecie działające chipy wykonane w technologii 22-nanometrowej. Nowe układy zapoczątkowują trzecią generację technologii tranzystorowej z metalową bramką oraz izolatorem o wysokiej stałej dielektrycznej (high-k) i zostały pokazane w dwa lata po tym, jak Intel zademonstrował działające obwody testowe poprzedniej generacji 32 nm. Potwierdza to, że prawo Moore’a nadal obowiązuje, choć zdaniem wielu ekspertów branża już dawno temu miała osiągnąć granice miniaturyzacji. Pamięci SRAM używa się jako obwodów testowych, aby zademonstrować działanie technologii, wydajność procesu oraz niezawodność chipów przed przystąpieniem do projektowania procesorów i innych układów logicznych, które będą wykorzystywały dany proces produkcyjny. Intel obecnie prowadzi intensywne prace nad technologią 22 nm i wszystko wskazuje na to, że model „tik-tak” będzie obowiązywać również w następnej generacji.

22-nanometrowe obwody testowe zawierają zarówno pamięć SRAM, jak i obwody logiczne, które będą używane w procesorach 22 nm. Komórki SRAM o powierzchni 0,108 i 0,092 mikrona kwadratowego tworzą macierz złożoną z 346 milionów bitów. Komórki o powierzchni 0,108 mikrona kwadratowego są zoptymalizowane pod kątem pracy niskonapięciowej. Komórki o powierzchni 0,092 mikrona kwadratowego są zoptymalizowane pod kątem wysokiej gęstości. Są to najmniejsze dotychczas zgłoszone komórki SRAM w działających obwodach. Układ testowy zawiera 2,9 miliarda tranzystorów o gęstości około dwukrotnie większej niż w poprzedniej generacji 32 nm na powierzchni rozmiaru paznokcia. Obwody 22 nm są kształtowane z wykorzystaniem narzędzia do kontroli ekspozycji za pomocą światła o długości fali 193 nm, co stanowi świadectwo pomysłowości intelowskich inżynierów litograficznych. 

Źródło: Intel / Informacje Prasowe