Zgłoś błąd

X

Zanim wyślesz zgłoszenie, upewnij się że przyczyną problemów nie jest dodatek blokujący reklamy.

Typ zgłoszenia
Treść zgłoszenia
Twój email (opcjonalnie)
Nie wypełniaj tego pola
.
Załóż konto
EnglishDeutschРусскийFrançaisEspañol中国

IDF15 - Prezentacja technologii 3D XPoint, następcy NAND Flash

Arkad | 19-08-2015 00:02 |

Wafel krzemowyMogłoby się wydawać, że technologia przechowywania danych od pewnego czasu stoi w miejscu - kości pamięci NAND Flash zdominowały segment nośników SSD oraz urządzenia mobilne, a producenci najczęściej decydują się na schodzenie do niższych procesów technologicznych. Od pewnego czasu czołowe firmy stosują w swoich nośnikach kości pamięci z ułożeniem stosowym (3D) umożliwiające upakowanie większej ilości gigabitów dla pojedynczego modułu. Przyszłość ma jednak leżeć zupełnie gdzie indziej. Przyszłość technologii przechowywania danych według Intela oraz Micron Technology ma opierać się na 3D XPoint. Już jakiś czas temu obydwaj producenci pochwalili się planami opracowania tychże kości, a dzisiaj na Intel Developer Forum 2015 pokazano pierwsze demo na żywo mające prezentować możliwości nowatorskiego rozwiązania.

Intel ujawnia coraz więcej informacji na temat pamięci 3D XPoint.

Intel po raz kolejny oficjalnie potwierdza, że 3D XPoint ma być 1000 razy szybszy i wytrzymalszy od kości pamięci NAND Flash. Co więcej, mamy otrzymać do 10 razy większą gęstość niż w przypadku obecnej technologii. Prace badawczo-naukowe trwały ponad dekadę, a samo 3D XPoint znacznie zmniejsza opóźnienia, pozwalając na przechowywanie większej liczby danych blisko procesora i dostęp do nich z prędkościami dotychczas niemożliwymi do uzyskania w magazynach nieulotnych. Nowatorska, beztranzystorowa architektura krzyżowa tworzy trójwymiarową szachownicę, w której komórki pamięci znajdują się na przecięciu linii słów z liniami bitów, przez co komórki mogą być indywidualnie adresowane. W efekcie dane można zapisywać i odczytywać w małych porcjach, co prowadzi do szybszych i efektywniejszych procesów odczytu/zapisu.

Produkcją pamięci 3D XPoint ma zająć się Micron Technology, który otrzyma zapewne wyłączność na wytwarzanie nośników tego typu. Wiele wskazuje na to, że żaden inny producent nie otrzyma na razie licencji na wykorzystanie opisywanej technologii. Pamięć będzie produkowana w 20-nanometrowym procesie technologicznym - na początek trafi do rozwiązań serwerowych i komputerów osobistych, a następnie do smartfonów, tabletów i urządzeń konwertowalnych. Intel zapowiada, że serwery otrzymają od razu nośniki oferujące nawet kilkanaście terabajtów powierzchni. Próbki inżynieryjne mają pojawić się jeszcze w tym roku, natomiast rynkowy debiut to kwestia kilku miesięcy (początek 2016 roku).

Pamięć 1000 razy wydajniejsza i wytrzymalsza od NAND Flash? Według Intela, jest to możliwe. Dodatkowo, otrzymamy 10-krotnie wyższe zagęszczenie danych.

Technologia tworzenia nośników opartych na 3D XPoint otrzymała nazwę Intel Optane.

Intel SSD DC P3700 osiąga wydajność 78 600 IOPS, natomiast 3D XPoint w obecnej fazie rozwoju ma pozwalać na osiągnięcie 401 400 IOPS.

Dla odczytu wartości wzrastają do 84 900 IOPS dla dostępnego na rynku P3700 oraz 463 400 IOPS dla nadchodzących pamięci 3D XPoint.

Na temat pamięci 3D XPoint oraz technologii ich wytwarzania rozmawialiśmy z Billem Leszinske, wiceszefem Intela odpowiedzialnym za technologię przechowywania danych.

Źródło: PurePC.pl
1
Zgłoś błąd
Liczba komentarzy: 8

Komentarze:

x Wydawca serwisu PurePC.pl informuje, że na swoich stronach www stosuje pliki cookies (tzw. ciasteczka). Kliknij zgadzam się, aby ta informacja nie pojawiała się więcej. Kliknij polityka cookies, aby dowiedzieć się więcej, w tym jak zarządzać plikami cookies za pośrednictwem swojej przeglądarki.