DDR3 SDRAM w technologii 50 nm

Firma Elpida, producent pamięci DRAM (Dynamic Random Access Memory), dumnie poinformował że zakończył prace nad 50-nanometrowym procesem technologicznym układów DDR3 SDRAM, które mogą pracować z prędkością 2.5 Gbps, przy bardzo niskim napięciu 1,35V a nawet 1.2 V. Modele pamięci wykonane w procesie 50nm, będą mogły pracować w częstotliwościach 800 MHz, 1066 MHz, 1333 MHz, 1600 MHz, 1866 MHz, 2133 MHz i 2500 MHz, przy napięciu zasilania 1.2 V, 1.35 V oraz standardowym 1.5 V i skierowane są przede wszystkim do segmentu high-endowych desktopów. Masowa produkcja pamięci DDR3 wykonanych w procesie 50 nm ma się rozpocząć w pierwszym kwartale 2009 roku.

Nowe układy skierowane są przede wszystkim do segmentu high-endowych desktopów

Źródło: Elpida