Czołowi producenci prezentują prototypy pamięci DDR4

Podczas trwającej właśnie konferencji ISSCC (International Solid-State Circuits Conference) czołowi producenci pamięci RAM, czyli Samsung Electronics oraz Hynix Semiconductor, zaprezentowali działające prototypy modułów DDR4. Propozycja Samsunga może pracować z maksymalną przepustowością na poziomie 2,13 Gb/s przy jednocześnie niskim napięciu 1.2V. Dla porównania, obecne standardy 30 nanometrowego procesu technologicznego pozwalają na zasilanie pamięci napięciem od 1.35V do 1.5V przy przepustowość na poziomie 1,6 Gb/s. Nowoczesne moduły DDR4 zainstalowane w urządzeniu mobilnym pobierają do 40% mniej energii od DDR3 zasilanego napięciem 1.5V. Samsung oraz Hynix przedstawili prototypy pamięci DDR4 wykonane w 30 i 38 nanometrowym procesie, natomiast masowa produkcja powinna rozpocząć się już pod koniec roku w zmniejszonym, 20 nanometrowym procesie technologicznym.

Propozycja Hynixa pracuje z taktowaniem 2400 MHz oraz zasilana jest napięciem 1.2V. Masowa dostępność nowej generacji pamięci RAM spodziewana jest na 2014 rok, ale w znikomej ilości będą rozprowadzane już w 2013 roku. Elpida, Micron oraz Nanya nie pokazały jak na razie swoich prototypów podczas konferencji ISSCC 2012.

Źródło: X-bit Labs