A-Data DDR3-1800+ XPG Plus Series
A-DATA Technology Co., Ltd, wiodący producent wysokiej jakości pamięci, rozszerza ofertę serii XPG Plus o układ DDR3-1800+. Nowe moduły dostępne będą w zestawach dual-channel (2 x 1GB oraz 2 x 2GB), a także triple-channel (3 x 1GB oraz 3 x 2GB). Układy pracować będą z timingami CL8-8-8-24 i przeznaczone będą dla systemów typu High-End. Na pamięciach zamontowane będą aluminiowe radiatory, zwiększające wymianę cieplną z otoczeniem oraz poprawiające stabilność. Pamięci przeszły wymagające testy (burn-in testing) dla potwierdzenia ich stabilności. W ten sposób A-DATA dba o swoją reputację na rynku oraz zapewnia najwyższą jakość swoich produktów. Specyfikacja oraz informacje dodatkowe poniżej.
Specyfikacja:
- 2GB/4GB moduły w zestawach dual-channel testowane przy ustawieniach 1800MHz
- 3GB/6GB moduły w zestawach triple-channel testowane przy ustawieniach 1800MHz
- Testowane z opóźnieniami CL8-8-8-24 przy napięciu 1.65V-1.85V
- System SPD (Serial Presence Detect) zaprogramowany zgodnie z normą JEDEC DDR3-1333 z opóźnieniami CL9-9-9-24 dla podstawowego rozruchu komputera
Informacje dodatkowe:
- Wszystkie układy zostały zweryfikowane pod kątem overclockingu dla zapewnienia najwyższej jakości i wydajności.
- Wysokiej jakości 6-warstwowe płytki PCB, na których zamontowano kości pamięci
- Optymalizacja dla 64-bitowych systemów operacyjnych*
- Kompatybilność w dół z prędkościami szyny danych DDR3-1600, 1333 oraz 1066
- Dożywotnia gwarancja producenta
* 32-bitowe systemy operacyjne potrafią adresować maksymalnie do 4GB pamięci, co powoduje dostęp tylko do 2.5-3.5GB pamięci rzeczywistej w zależności od konfiguracji
Źródło: A-Data
Powiązane publikacje

SK Hynix wyprzedza Samsunga i Microna i jako pierwszy na świecie produkuje rewolucyjne pamięci HBM4. Wydajność wzrośnie o 69%
15
Samsung w desperacji. Koreańska firma gotowa na cenową wojnę z SK Hynix i Micron o lukratywne kontrakty NVIDIĄ na pamięci HBM4
14
Chiński duet YMTC i CXMT może zagrozić dominacji firm Samsung i SK Hynix na rynku pamięci HBM jeszcze w 2025 roku
44
SK hynix jako pierwszy komercyjnie wykorzysta litografię High-NA EUV firmy ASML do produkcji pamięci DRAM nowej generacji
6