Nowe 20x szybsze pamięci HMC od Micron
Micron zaprezentował na konferencji Hot Chips postępy badań nad nowymi pamięciami RAM, nazwanymi HMC (Hybrid Memory Cube), które według producenta zapewniają dwadzieścia razy większą wydajność niż dzisiejsze moduły DDR3. Próbki pokazane przez Micron osiągnęły przepustowość na poziomie 128 GB/s, czyli 10 razy większą niż DDR3 (do 12.8 GB/s). Producent zapewnia, że kiedy pojawi się końcowa wersja moduły HMC osiągną 20x większą przepustowość niż obecne pamięci przy wykorzystaniu jedynie 10 % energii potrzebnej do ich zasilenia. Układy Hybrid Memory Cube wykorzystują specjalną technologię połączeń - ścieżki między warstwami są możliwie jak najkrótsze i wykonane za pomocą TSV (Through-Silicon Via), dzięki której sygnały szybciej „płyną” przez krzem. Wykorzystując "trójwymiarową" konstrukcję Micron chwali się, iż technologia HMC oszczędzi do 90 % energii w stosunku do tradycyjnych modułów RDIMM.
Duża liczba połączeń TSV i ich możliwie najkrótsze odległości są kluczem do wysokiej przepustowości pamięci HMC, zaś producent wiąże z tym rozwiązaniem wielkie nadzieje. Niestety, zabrakło jakichkolwiek konkretów kiedy HMC mogłyby trafić na rynek. Polecamy przy okazji obejrzenie niżej zamieszczonego filmiku:
Źródło: TechConnect
Powiązane publikacje

Samsung w desperacji. Koreańska firma gotowa na cenową wojnę z SK Hynix i Micron o lukratywne kontrakty NVIDIĄ na pamięci HBM4
3
Chiński duet YMTC i CXMT może zagrozić dominacji firm Samsung i SK Hynix na rynku pamięci HBM jeszcze w 2025 roku
40
SK hynix jako pierwszy komercyjnie wykorzysta litografię High-NA EUV firmy ASML do produkcji pamięci DRAM nowej generacji
6
Pamięć ULTRARAM ma zielone światło. Partner QUINAS Technology opracował metodę, która otwiera furtkę do masowej produkcji
30