Samsung opracował pierwsze na świecie pamięci LPDDR5
Premiery najciekawszych smartfonów roku są już raczej za nami, aczkolwiek nie możemy zapominać, że na debiut czekają jeszcze tegoroczne Apple iPhone'y oraz Samsung Galaxy Note 9. O ile jednak firma z Cupertino może nas jeszcze czymś zaskoczyć, tak nadchodząca generacja Note'a raczej nie sprezentuje nam fajerwerków. Jeśli chodzi o Koreańczyków, znacznie ciekawiej zapowiada się niezapowiedziany jeszcze Galaxy S10, który ma zostać wyposażony w szereg nowych technologii. Właśnie poznaliśmy jedną z nich -
zaprezentowano właśnie pierwsze na świecie kości pamięci typu LPDDR5, które zapewniają znacznie lepsze parametry niż poprzednia generacji. Czym konkretnie cechują się nowe moduły?
Jak na razie Samsung ogłosił tylko, że zakończył proces testów oraz walidacji pamięci. Żadnych konkretnych terminów w sprawie rozpoczęcia masowej produkcji niestety nie podano.
Pamięci zostały opracowane w procesie technologicznym 10 nm, mają one pojemność 8 Gb (1 GB) i pracują z napięciem 1,1 V. Szybkość transmisji danych najszybszych sztuk szacuje się na ok. 6400 Mb/s. Przygotowano także mniej wydajny wariant pamięci, który może osiągać ok. 5500 Mb/s przy odpowiednio niższym napięciu 1,05 V. Dla porównania, pamięci LPDDR4X występujące w smartfonach obecnej generacji oferują transfery na poziomie "tylko" 4266 Mb/s. Cóż, wystarczy tylko rzut oka na niniejszą specyfikację LPDDR5 i od razu widać, że mamy do czynienia z niemałym przełomem.
Samsung wkrótce ruszy z produkcją pamięci LPDDR5 i UFS 3.0
Samsung Exynos 9820 - znamy szczegóły procesora Galaxy S10
Niższe napięcie nowych pamięci pozwoli oczywiście na zmniejszenie zapotrzebowania urządzenia na energię. Warto tutaj zaznaczyć, że dodatkowo udoskonalono tryb głębokiego uśpienia, który ma obniżać pobór mocy LPDDR5 nawet o połowę względem LPDDR4X. Sumarycznie pobór mocy powinien być o 30% niższy. Nowe pamięci oprócz podstawowych zadań będą miały także za zadanie obsłużyć np. sztuczną inteligencję oraz sieć 5G. Jak na razie Samsung ogłosił tylko, że zakończył proces testów oraz walidacji pamięci, zaś niebawem w Pyeongtaek (gdzie mają powstawać także DDR5 i GDDR6) ma ruszyć masowa produkcja kości zgodnych z wymaganiami klientów. Żadnych konkretnych terminów niestety nie podano.
Powiązane publikacje
![GeIL zapowiada pamięci RAM DDR5 10200 MT/s z aktywnym chłodzeniem. Do sprzedaży trafią też moduły DDR5 9000 MT/s](/files/Image/m165/43767.png)
GeIL zapowiada pamięci RAM DDR5 10200 MT/s z aktywnym chłodzeniem. Do sprzedaży trafią też moduły DDR5 9000 MT/s
41![JEDEC i DELL opublikowali część specyfikacji dla pamięci RAM CAMM2 i LPCAMM2 wykorzystujących kości LPDDR6](/files/Image/m165/43706.png)
JEDEC i DELL opublikowali część specyfikacji dla pamięci RAM CAMM2 i LPCAMM2 wykorzystujących kości LPDDR6
33![G.SKILL Trident Z5 Royal - prestiżowa seria pamięci RAM powraca w szybszym wydaniu bazując na kościach DDR5](/files/Image/m165/43704.png)
G.SKILL Trident Z5 Royal - prestiżowa seria pamięci RAM powraca w szybszym wydaniu bazując na kościach DDR5
20![Pamięć DDR6 może zaoferować duży postęp w kwestii szybkości transferu danych. Standard zadebiutuje w 2025 roku](/files/Image/m165/43676.png)
Pamięć DDR6 może zaoferować duży postęp w kwestii szybkości transferu danych. Standard zadebiutuje w 2025 roku
35![G.SKILL Ripjaws M5 RGB - zaprezentowano nową serię pamięci DDR5 o szybkości do 6400 MT/s](/files/Image/m165/43602.jpg)